我怎麼記得之前有篇文章 說跟散熱膏沒關係? 莫非INTEL是用大陸散熱膏
johnnyliu3377 榮譽會員 已加入 2/5/04 訊息 11,632 互動分數 0 點數 36 5/14/12 #33 個人覺得:是I社為取得3d晶體的技術先機,把Ivy當白老鼠實驗.... 22nm的CPU還是等下一代吧!
Toppc 榮譽會員 已加入 12/19/04 訊息 11,405 互動分數 231 點數 63 5/14/12 #34 浪費我一條8.3W/mk的散熱膏..... ~"~ 散熱器TPC 812 就算換上液態金屬又如何? 給我一顆能1.3V上5G的低溫高效能3770K還比較實際些 ;face0;
W winnie 進階會員 已加入 2/8/08 訊息 382 互動分數 1 點數 18 年齡 43 5/14/12 #36 好恐怖.... 4G燒機問度就能破百了...還是用TPC 812這顆cooler....夭壽喔~好想IVY沒下手....I5-750繼續撐到明年的1150吧...
Toppc 榮譽會員 已加入 12/19/04 訊息 11,405 互動分數 231 點數 63 5/14/12 #37 winnie 說: 好恐怖.... 4G燒機問度就能破百了...還是用TPC 812這顆cooler....夭壽喔~好想IVY沒下手....I5-750繼續撐到明年的1150吧... 按一下展開…… ....................... 這是故意去加電壓來測試IVY到某個電壓狀態下換內部散熱膏有無影響 唉...有那模難理解嗎~"~ 正常情況下的表現1.1x V 就能穩上4G了啦~
winnie 說: 好恐怖.... 4G燒機問度就能破百了...還是用TPC 812這顆cooler....夭壽喔~好想IVY沒下手....I5-750繼續撐到明年的1150吧... 按一下展開…… ....................... 這是故意去加電壓來測試IVY到某個電壓狀態下換內部散熱膏有無影響 唉...有那模難理解嗎~"~ 正常情況下的表現1.1x V 就能穩上4G了啦~
龍醉櫻 Overheating Blockade 已加入 3/7/11 訊息 1,611 互動分數 0 點數 36 5/14/12 #38 Toppc 說: 浪費我一條8.3W/mk的散熱膏..... ~"~ 散熱器TPC 812 就算換上液態金屬又如何? 給我一顆能1.3V上5G的低溫高效能3770K還比較實際些 ;face0; 按一下展開…… 這個好笑 示散熱膏能解決的問題那掀鐵蓋不就更快
Toppc 說: 浪費我一條8.3W/mk的散熱膏..... ~"~ 散熱器TPC 812 就算換上液態金屬又如何? 給我一顆能1.3V上5G的低溫高效能3770K還比較實際些 ;face0; 按一下展開…… 這個好笑 示散熱膏能解決的問題那掀鐵蓋不就更快
X xadxxadx 一般般會員 已加入 11/17/09 訊息 60 互動分數 0 點數 0 年齡 39 5/14/12 #39 也不能說疊加技術吧 你指的疊加應該是"3DIC" 兩塊CHIP分開做好 用T.S.V等技術把它堆疊的是3DIC intel這次ivy的3D電晶體不一樣 應該是指 "FINFET" 這樣結構的新型電晶體 傳統電晶體的運作通道可假設成只有一面! FINFET變成類似立體結構 有三個面 畢竟過去晶片的製作就是擁有許多層了! dogkoon 說: 個人也覺的是架構的問題,試想3D的架構就是疊加的技術: 以前只有一層,散熱器就直接貼在這一層,熱就直接帶走。 而現在是多層,散熱器只能貼在最上層,下面那層散熱還得經過上層, 問題是上層跟下層都會發熱,自然下層就會有溫度升高的疑慮。 按一下展開……
也不能說疊加技術吧 你指的疊加應該是"3DIC" 兩塊CHIP分開做好 用T.S.V等技術把它堆疊的是3DIC intel這次ivy的3D電晶體不一樣 應該是指 "FINFET" 這樣結構的新型電晶體 傳統電晶體的運作通道可假設成只有一面! FINFET變成類似立體結構 有三個面 畢竟過去晶片的製作就是擁有許多層了! dogkoon 說: 個人也覺的是架構的問題,試想3D的架構就是疊加的技術: 以前只有一層,散熱器就直接貼在這一層,熱就直接帶走。 而現在是多層,散熱器只能貼在最上層,下面那層散熱還得經過上層, 問題是上層跟下層都會發熱,自然下層就會有溫度升高的疑慮。 按一下展開……