Originally posted by TEMJIN@Dec 21 2004, 11:56 PM
提供點小意見...
造成可超性差異的原因,我想封裝造成的影響只能算是其中一小部份,
絕大部分應該還是出在晶圓製造過程上...
晶圓製造不光是要在上面佈線,還要最底下做出元件
所謂元件就是在矽基版上做出電晶體.電阻.電容...等
上面再用釵h層的金屬導線連接起來,成為一個具有某種弁鄋犒q路,
所以才叫做積體電路...
由於這些元件及導線太細小了,
2,3百道製造過程中稍微任何一個步驟有一點點異常,就會造成電路運作上的影響
嚴重時會造成元件失效或線路短路,
舉例來說在0.13製程的電晶體上面掉了一顆0.15微米的particle,就會造成這顆電晶體失效,整顆IC也就廢了,
或者在電晶體上掉了一顆0.05微米的particle,雖然不會造成電晶體失效,卻可能造成電晶體連接導線的contact處接觸不良電阻變高,速度就會受影響...
除了particle外,其他會影響到IC的因素太多了,
比如各種FILM的厚度,平坦度,離子值入的劑量,光罩的對準,熱處理..........等等等,族繁不及備載.....太多了