超頻為什麼要加電壓用極冷(ln2液態氮or乾冰)的原理

[authenticamd]

先說結論：

一般雜質濃度或是低雜質濃度的半導體是具負電阻溫度係數，所以溫度越大 電阻越小 溫度越小 電阻越大 。
高雜質濃度半導體具有正的電阻溫度係數，所以溫度越大 電阻越大 溫度越小 電阻越小。

參見"hxxp://tw.knowledge.yahoo.com/question/question?qid=1006122800309"
如果覺得奇摩不可靠的話，看看維基的也行：

Highly doped semiconductors hence behave metallic.
高雜質濃度半導體的表現偏金屬性

參見"hxxp://en.wikipedia.org/wiki/Electrical_resistance_and_conductance"內"In semiconductors and insulators"及"Temperature dependence"兩節說明，請詳讀之。

一般雜質濃度或低雜質濃度的半導體，就是大家常常聽到的"晶圓"或"wafer" (晶圓本身的特性就像Abcb大所說的---溫度越高，阻值越小)。不過，晶圓頂多只能算是地皮，沒蓋房子的話是不能住人的。I社的元老們，想辦法在晶圓上面製作出高雜質濃度的mosfet(或稱cmos)元件，並且利用cmos元件類似金屬的導電特性，順利地開啟了I社的CPU王朝並延續至今。而UMC和TSMC基本上也是沿用這種製程技術。

至於高低雜質濃度的定義是甚麼，在此就不多說了，有興趣的人可以去維基逛逛。要說的是，數位IC的工作原理，就像樓上某大所說的，基本上就是電路的充放電，前一級CMOS元件對輸出端的(寄生)電容進行充電(1)或放電(0)，再傳遞給下一級電路的輸入端。試想，低溫下，cmos可以導通較大的電流，當輸出端寄生電容值(正比於下一級元件的尺寸大小)不變的情況下，可以以較短的時間完成充放電，也就是速度變快的意思; 反之，高溫下的cmos元件，導通電流變小，完成充放電的時間加長，CPU的速度自然快不起來。

 

[rdriftking]

^^
我也想玩.00.
可是資金不過雄厚的說

完乾冰壓~用塑膠瓦楞板跟矽利康把普通散熱器圍起來就可以裝丙酮+乾冰了~散熱器最好是銅製的~改天我再發教學文~應該不難懂~我的最高紀錄是p4 3.0g ht 超4.7g直開進系統再超到4.89ghz軟體看溫度顯示-50度c，一個原因應該是散熱膏結冰~= = 一個市所乾冰沒敲成粉狀，加上一次才丟3科~(節省使用)~要不然我有自信這個乾冰炮可以讓待機降到-65度c以下~;em25;

 

[rdriftking]

完乾冰壓~用塑膠瓦楞板跟矽利康把普通散熱器圍起來就可以裝丙酮+乾冰了~散熱器最好是銅製的~改天我再發教學文~應該不難懂~我的最高紀錄是p4 3.0g ht 超4.7g直開進系統再超到4.89ghz軟體看溫度顯示-50度c，一個原因應該是散熱膏結冰~= = 一個市所乾冰沒敲成粉狀，加上一次才丟3科~(節省使用)~要不然我有自信這個乾冰炮可以讓待機降到-65度c以下~;em25;

文章寫好了~
http://forum.coolaler.com/showthread.php?p=2819807#post2819807

 

[david123763]

這應該可以拿最簡單的手電筒來做比喻吧~~~

 

[rdriftking]

這應該可以拿最簡單的手電筒來做比喻吧~~~

功耗的部分是可以~電壓增加電流就會增加~時脈增加~燒機時的電流也會增加~功率=電壓X電流~
但是注意一點~半導體的電壓-電流曲線不是直線的~所以不拿手電筒來做精確的比喻~