超頻為什麼要加電壓用極冷(ln2液態氮or乾冰)的原理

Abcb

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[FONT="楷体"]借助 閣下搜尋功力,"銅製程"到底是怎麼回事?
用銅做的晶片嗎?
[/FONT]
我搜尋功力蠻爛的耶...
我只會用google, 然後輸入"銅製程", 您應該也可以看到很多資訊囉^_^

不過既然這個是當時IBM推出的專利, 所以如果想要詳細點的資料, 可以去查專利內容唷.

或者有朋友在UMC或TSMC的, 可能問他們更快喔^_^

話說我老婆那個在TSMC的朋友也從德州調回台灣了, 改天有聚會我再問問他好了.
 

littlewbot

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[FONT="楷体"]對了..對了!
順便問一下,現在晶片回收怎麼處理?
有沒有金製程這回事?
也好有個祝詞像???永浴愛河之類的.
那是多大的榮耀與成就!
[/FONT]
 

limhh

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如果我沒搞錯的話。。。

首先是頻率越高,必須讓越高電壓來維持1和0的區分。讓后就是半導體溫度增加電阻就會下降,作為開關當電阻和電壓超過某個安全比例時,1的電壓無法維持在1的範圍同樣的0的電壓無法維持在0的範圍(關於這點請參考CMOS開關的電路設計圖),邏輯錯誤就因此產生。低溫增加半導體電阻,更高的電阻有助於在更高電壓時維持電阻和電壓依然在安全比例內。
 
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littlewbot

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[FONT="楷体"]請問..請問半導體工作溫度是參考值呢?還是有其物理特性,
如果降溫只是為增加電阻值?應有限度及溫度區間吧!
液態氮?矽半導體好像零下1~20度其阻值已無限大似同開路了?
還 請詳解,感恩..
[/FONT]
 

limhh

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另一點忘了提的是散熱問題,由於散熱面積已經是無法改變的,在同樣的面積上應付更高的散熱量唯一的方法就是加大冷/熱面的溫差,不然熱量就會累積。
 

littlewbot

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[FONT="楷体"]敝人想這迴圈,不是敝人靠冥想就可得的真確.
另外有一點應該可以求知的,是先冷卻還是要燒機倒數時才冷卻的.
只是想釐清無高熱狀態及高熱狀態下加入液態氮對CPU及GPU有無差別.
如果說北橋置身CPU及GPU之間可否同享或必須區隔之疑惑?也是一瞥之間無法端詳的!
[/FONT]
 

jimmy2004y

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極冷一方面是為了防止晶片燒毀
但是主要原因還是如上面的說法,降低電阻
跟加電壓的目的相同
為了讓電壓準位可以在VDD及GND中快速變換
相同的電阻下,電流更大速度才夠快
這有點充放的概念
如果有錯請指證,謝謝
 

Abcb

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其實很簡單的... 不管用液態氮或乾冰等冷卻裝置, 實際CPU或GPU的熱平衡溫度多少去看看不就得了?
CPU和GPU要能運作, 恐怕不可能將DIE整個裸置於極冷環境下吧? 中間還有封裝和容器等不少熱傳導障礙啊...

再者, 半導體的低溫傳導特性就算有其極限, 也應該沒有到什麼零下20度就趨近於電阻無限大的地步才對?
先把前提給設定精確才有辦法進行適當的假設, 也才能進行實驗進而求知啊...

另外給下面的...
對半導體來說, 降低溫度只會降低導電率而已, 所以接下來也就沒必要說什麼了.

至於電子元件當然不完全是半導體所製成, 通常的結構為金屬導線串接半導體單位集合而成的.
金屬部分固然在低溫時可以獲得更低的電阻, 但由於半導體在低溫下, 電阻是上昇的; 而且金屬本身電阻就遠比半導體低, 電阻下降的程度有限, 半導體電阻上升的幅度卻可以持續, 最終串連電路的電阻瓶頸會落在半導體單元上, 所以整體電阻應是上昇的. 再怎麼樣也不會下降, 您說是吧?

至於電壓準位看的當然是電壓, 電流大小是先有電壓差才會產生的, 怎麼會反推電流大的時候速度就快呢? 而且我也很懷疑電壓準位變動的斜率是否會因為施予電壓大小而有所改變, 這個需要專業人士來測試了. 如果電壓準位的變動斜率有其極限在, 那麼增加電壓對於頻率的提升帶來的優勢就不是在於"快速"這個點了.

一些個人看法... 歡迎加入討論^_^
 

maydaykimo

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^^
我也想玩.00.
可是資金不過雄厚的說
 
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