其實很簡單的... 不管用液態氮或乾冰等冷卻裝置, 實際CPU或GPU的熱平衡溫度多少去看看不就得了?
CPU和GPU要能運作, 恐怕不可能將DIE整個裸置於極冷環境下吧? 中間還有封裝和容器等不少熱傳導障礙啊...
再者, 半導體的低溫傳導特性就算有其極限, 也應該沒有到什麼零下20度就趨近於電阻無限大的地步才對?
先把前提給設定精確才有辦法進行適當的假設, 也才能進行實驗進而求知啊...
另外給下面的...
對半導體來說, 降低溫度只會降低導電率而已, 所以接下來也就沒必要說什麼了.
至於電子元件當然不完全是半導體所製成, 通常的結構為金屬導線串接半導體單位集合而成的.
金屬部分固然在低溫時可以獲得更低的電阻, 但由於半導體在低溫下, 電阻是上昇的; 而且金屬本身電阻就遠比半導體低, 電阻下降的程度有限, 半導體電阻上升的幅度卻可以持續, 最終串連電路的電阻瓶頸會落在半導體單元上, 所以整體電阻應是上昇的. 再怎麼樣也不會下降, 您說是吧?
至於電壓準位看的當然是電壓, 電流大小是先有電壓差才會產生的, 怎麼會反推電流大的時候速度就快呢? 而且我也很懷疑電壓準位變動的斜率是否會因為施予電壓大小而有所改變, 這個需要專業人士來測試了. 如果電壓準位的變動斜率有其極限在, 那麼增加電壓對於頻率的提升帶來的優勢就不是在於"快速"這個點了.
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