關於加VTT後.立即熜機..

[eLove]

有超頻的..
因為我的930...到BCLK 180 就上不了去..
180就STABLE...可以跑8匹32M..
電都係1.248 (CPU-Z)...VTT就1.21(BIOS)

但再上..190, 200就入唔到WINDOWS.
我試過加VID..但無理由加到1.4V都只是可以進入WINDOWS..而過不了TEST..
所以就試一下加VTT...

先把BCLK 180的相關設定/電壓貼圖po上來，你給的資訊很凌亂
CPU-Z 的 CPU/Mainboard/Memory 以及 CPU-Tweaker 的資訊
CPU-Tweaker v1.4 最新版本載點：http://www.tweakers.fr/download/CPU-Tweaker.zip
如下圖：

我的930要跑 21x200/4000 VCore 要設到1.35V,QPI/VTT要1.525V才能穩定,
誰會用這種電壓下去用電腦,溫度可想而知,可能我的U體質不好吧!
還是920好...;x;

lung6412h大又敗新玩具了 :PPP:
印象中你之前的920體質比較好吧 ?

Uncore不一定要勉強上4000
上到3600再配合記憶體跑DDR3-1600/7-8-7-20也有很不錯的效能

 

[polo1802]

每次看E大的文都可說是種學習....
很讚

 

[ssk0110]

也是敘述不夠吧...把5大金剛描述一下...RAM時序... 加壓應該是最後手段...

不知道現在的DFI還好用嗎?? 弟還停留在939;em03;

 

[lung6412h]

lung6412h大又敗新玩具了 :PPP:
印象中你之前的920體質比較好吧 ?

Uncore不一定要勉強上4000
上到3600再配合記憶體跑DDR3-1600/7-8-7-20也有很不錯的效能[/QUOTE]


嘻嘻嘻!eLove大又被你發現了~~~;em25;
就是覺得之前的920比較好一點,所以現在有點後悔敗930...;ng;

我是覺得既然買了DDR3-2000 不跑個4000那不就太可惜了,起碼也爽一下嘛!
誰知電壓要那麼的高,可能這組RAM已經在抗議了,不爽改天就把它休了,換海盜好了...;tongue;
我現在就是跑 200x20 2:8 1600 7-7-7-20 1T Uncore 3800,先撮合著用啦!

想請教一下e大,我現在跑1600 7-7-7-20這樣,跟你說的1600 7-8-7-20那樣有什麼差別嗎?
時序問題指導一下吧!;shakehand

 

[eLove]

我現在跑1600 7-7-7-20這樣,跟你說的1600 7-8-7-20那樣有什麼差別嗎?
時序問題指導一下吧!;shakehand

首先記憶體控制器會確定欲處理資料的"Row位址"，定址"Row位址"所花費的時間稱為"tRCD"
接下來定址Column位址所花費的時間稱為"tCL"
在等待tRAS和tRP之後即完成一個位址的資料儲存，然後重複以上過程就可以完成資料的存取

因此 7-7-7-20(tCL-tRCD-tRP-tRAS) 與 7-8-7-20(tCL-tRCD-tRP-tRAS) 的差異在 tRCD 所花費的時間
也就是一開始定址"Row位址"所花費的時間較長一點
通常一般是 tRAS = tCL + tRCD + 2，不過這只是一個參考

CAS Latency (tCL)「行位址控制器延遲時間」
從已經定址的行，到達輸出暫存器的資料所需的時脈循環數

RAS-to-CAS Delay (tRCD)「列位址至行位址延遲時間」
在已經決定的列位址和已經送出行位址之間的時脈循環數

RAS Precharge Time (tRP)「列位址控制器預充電時間」
對迴路作預充電所需的時脈循環數，以決定列位址

Row Active Time (tRAS)「列動態時間」
當一個記憶體晶片上兩個不同的列逐一定址所造成的延遲

Burst Length「爆發長度」
這是指在一個傳輸循環中，要送出多少資料區塊

 

[loasjerry]

先把BCLK 180的相關設定/電壓貼圖po上來，你給的資訊很凌亂
CPU-Z 的 CPU/Mainboard/Memory 以及 CPU-Tweaker 的資訊
CPU-Tweaker v1.4 最新版本載點：http://www.tweakers.fr/download/CPU-Tweaker.zip

RE E大

 

[eLove]

按下 CPU-Tweaker 的 "SPD" 會顯示記憶體參數
把圖po上來看看，感覺是記憶體參數設錯

 

[loasjerry]

按下 CPU-Tweaker 的 "SPD" 會顯示記憶體參數
把圖po上來看看，感覺是記憶體參數設錯

 

[eLove]

在BIOS中手動設定如下記憶體參數：
CL=9
RCD=9
RP=9
RAS=28
CR=1T (Command Rate)
RC=37
RFC=88
RRD=5
WR=12
WTR=6
RTP=8
剩下的參數全部設定auto
--------------------------
CPU 部分設定如下：
BCLK: 200, 倍頻: 19，先測試3800MHz
QPI: 4.8GT/s (BCLK*18*2) = 3600MHz
RAM: BCLK*8 1600MHz
UnCore: BCLK*16 3200MHz
Vcore: 1.248V
Vtt: 1.35V
先試試看這樣能不能正常開機、HyperPI 32M*8

如果可以的話，再把倍頻加到20
Vcore: 1.35V (先加多一點，穩定後再慢慢來降)
Vtt:1.35V
能再燒機過關的話，再把UnCore提升至3600MHz再測一次燒機

注意CPU供電跟北橋的溫度，最好是有風扇幫助散熱
這部分也會影響超頻穩定度

 

[raizzeyui]

想請問各位..

我加VTT到1.47後..
一SAVE BIOS就會自己熜機..
跟住部機好似D就死既病人咁..著一下..又熜左..著一下.又熜左..
我要CLEAR CMOS先可以開得返機..

咁樣我想問問..
係咪我塊有問題呢..
定係火牛有問題呢..

版係DFI X58 T3H6
牛係CORSAIR VX550

因為版係新買的..還在7日內..
想有甚麼問題就快快換..

謝謝..

广东话嘛。我也想学输入法XDDD