關於加VTT後.立即熜機..

[loasjerry]

Re E大

CPU 部分設定如下：
BCLK: 200, 倍頻: 19，先測試3800MHz
QPI: 4.8GT/s (BCLK*18*2) = 3600MHz
RAM: BCLK*8 1600MHz
UnCore: BCLK*16 3200MHz
Vcore: 1.248V
Vtt: 1.35V
先試試看這樣能不能正常開機、HyperPI 32M*8

不能正常開機 。。（天灰灰）

 

[loasjerry]

連DEBUG LED..也DISPLAY到..在說明找不到的POST..==

調教完後..SAVE BIOS..重開後..POST 停到 25
之後RESET後..停在3F..再RESET之是3F

POST25 是有解釋的...
有4個原因..
1.Incompatible PCI devices
2.Incompatible USB devices
3.Defective graphics card (VGA BIOS did not initialize)
4.The graphics card was not installed properly.

= =

除了GRAPHICS CARD 我沒有其他PCI devices
keyboard and mouse is USB device.

 

[lung6412h]

首先記憶體控制器會確定欲處理資料的"Row位址"，定址"Row位址"所花費的時間稱為"tRCD"
接下來定址Column位址所花費的時間稱為"tCL"
在等待tRAS和tRP之後即完成一個位址的資料儲存，然後重複以上過程就可以完成資料的存取

因此 7-7-7-20(tCL-tRCD-tRP-tRAS) 與 7-8-7-20(tCL-tRCD-tRP-tRAS) 的差異在 tRCD 所花費的時間
也就是一開始定址"Row位址"所花費的時間較長一點
通常一般是 tRAS = tCL + tRCD + 2，不過這只是一個參考

CAS Latency (tCL)「行位址控制器延遲時間」
從已經定址的行，到達輸出暫存器的資料所需的時脈循環數

RAS-to-CAS Delay (tRCD)「列位址至行位址延遲時間」
在已經決定的列位址和已經送出行位址之間的時脈循環數

RAS Precharge Time (tRP)「列位址控制器預充電時間」
對迴路作預充電所需的時脈循環數，以決定列位址

Row Active Time (tRAS)「列動態時間」
當一個記憶體晶片上兩個不同的列逐一定址所造成的延遲

Burst Length「爆發長度」
這是指在一個傳輸循環中，要送出多少資料區塊

阿娘喂! eLove 大,你給的資料那麼的 Professional (我啊看有---台語),真正有看沒有懂說...

不過還是謝謝你!講白一點就好了啦,7-7-7-20 1T & 7-8-7-20 1T 這兩個那一個時序比較好用就好了,分數哪個會比較好,這樣用會不會有問題呀!

繼續操爛兵(930)去.....

 

[eLove]

CPU 部分設定如下：
BCLK: 133, 倍頻: 21，只測試預設時脈
QPI: 4.8GT/s (BCLK*18*2) = 2400MHz
RAM: BCLK*12 1600MHz
UnCore: BCLK*24 3200MHz
Vcore: 1.248V
Vtt: 1.35V
記憶體電壓：1.65V
其餘電壓可設定auto
先試試看這樣能不能正常開機、HyperPI 32M*8

不能正常開機 。。（天灰灰）

連DEBUG LED..也DISPLAY到..在說明找不到的POST..==

調教完後..SAVE BIOS..重開後..POST 停到 25
之後RESET後..停在3F..再RESET之是3F

之前也有遇過類似問題，查過其它 DEBUG LED 的解釋
個人覺得問題應該還是在記憶體 ...

先 Clear COMS 後，RAM 的設定按照前一篇說明的參數
CPU 的部分只改成紅色的設定，只測試預設時脈
這樣是把RAM、UnCore的時脈分別提升至1600MHz、3200MHz
若還不行就 .... 可能是相容性問題 ....
解決方法：把記憶體順序調換著插，或是先只單插一支，測試成功再插二支，最後上三支
再不行主機板或記憶體的問題比較大
不然檢查一下CPU散熱器的扣具是否安裝正常，也有太緊或施力不正確造成的異常

 

[eLove]

講白一點就好了啦,7-7-7-20 1T & 7-8-7-20 1T 這兩個那一個時序比較好用就好了,分數哪個會比較好,這樣用會不會有問題呀!

一般情形下分數上應該差異不大，但是 ...
7-8-7-20 1T 在記憶體高時脈下的表現比較穩定
7-7-7-20 1T 在 Page Miss、Bank Conflict 時，存取會比較快
這部分需要講到作業系統的記憶體管理，就不多談了 :PPP:

若你的930/UnCore/記憶體還不錯，試試 7-7-7-15 或 7-7-6-16
再配合其它參數，會讓平均表現再稍微提升一些 (或說是大量存取記憶體時的表現)
比較能明顯測出差異的就 HyperPI 32M*8 完成時間會減少一些
(這樣做可以讓UnCore/RAM:3600/1600的效能提升，又不會比4000/2000差很多)
參考這個：

你也可以參考SPD/666MHz那欄的資訊去設定RFC(含)之後的參數
而RC=RP+RAS，也就是7+15=22,或6+16=22
例如這個：(直接借loasjerry大的圖來用一下)

 

[loasjerry]

之前也有遇過類似問題，查過其它 DEBUG LED 的解釋
個人覺得問題應該還是在記憶體 ...

RAM參數只有tRC不能設在37..因為BIOS最大tRC只可以是31
會否有問題?

我還有甚麼可做

 

[loasjerry]

tRC我SET了AUTO

另外發現一件古怪的事

第二支Threat ...很乏力的
CPU有事嗎..

 

[eLove]

RAM參數只有tRC不能設在37..因為BIOS最大tRC只可以是31
會否有問題?

我還有甚麼可做

tRC不能設定37沒關係，設定31就好
tRTP要設定8，CPU-Tweaker顯示6
而tFAW顯示0 ... 把它設定為20
你這組記憶體設定auto，抓出來的值跟一般似乎不太一樣 ;x;

目前這個組態能過，表示UnCore/RAM:3200/1600應該沒大問題才是
現在把EIST/CxE/Turbo先關掉
接著 ...
記憶體設定的部分，不要再更改
CPU 部分設定如下：
BCLK: 160, 倍頻: 21 = 3360MHz
QPI: 4.8GT/s (BCLK*18*2) = 2880MHz
RAM: BCLK*10 1600MHz
UnCore: BCLK*20 3200MHz
Vcore: 1.35V (固定電壓，之後確定穩定再慢慢降)
Vtt: 1.35V (固定電壓)
記憶體電壓：1.65V
其餘電壓可設定auto
先試試看這樣能不能正常開機、HyperPI 32M*8

如果可以的話，後續再拉BCLK時 (大於160)
記得盡量先把QPI/UnCore/RAM控制在3600/3200/1600以內
避免其它因素又干擾到 ...

tRC我SET了AUTO
另外發現一件古怪的事
第二支Thread ...很乏力的
CPU有事嗎..

不知道auto下的tRC是多少 ...
應該是那個Thread出錯了，HyperPI應該會有提示錯誤視窗出現

 

[loasjerry]

不行。
倍頻: 12 也不能正常開機

 

[loasjerry]

感覺上..VTT過1.3X便不能正常開機
降至1.29後..可開機..但很LAG

VTT好像有問題..