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OCZ V4 跟 M4P 在RAID 0 模式下相比，OCZ 在8KB寫入就以達到峰值，M4P寫入則需在 256KB 後才能達到峰值！同樣在零碎檔案讀寫上，這次是採用 SSD 作為三級快取，16GBRAM 提取 3GB DRAM 作為二級緩衝+延遲寫入，在整體流暢度上雖然較純 DRAM ，反應略慢一級 (10us 跟 2~3ms上的差異)！但比純建立在 "傳統硬碟"+"D-RAM"上穩定取多！相對於台灣網路頻寬的延遲100~1000ms來講，DRAM+FLASH 的架構所多出來的 2~3ms , 一般玩家應該無法感受到其中的差異，最多是對於地圖邊界的更新會有感覺較慢！而且當個創世神本身的計算是採用資料分流獨自計算，最後再跟系統內部記憶做資料核對。
分層儲存是個由來已久的作法，可按存取時間或存取頻率區分，將資料分別存放到不同存取速度／成本的儲存媒體上，從而在存取效能與成本間取得較佳的平衡。 單純由Flash記憶體組成的固態磁碟陣列仍太過昂貴，因此目前主流的Flash記憶體企業儲存應用，都採用Flash記憶體搭配傳統硬碟的混合式架構，又分為充當分層儲存中的高速層，以及充當輔助DRAM的第二層快取等兩種主要應用形態。
整體分析目前企業等級產品定位、架構等方面的差異，目前SSD在外接儲存設備上的應用形成了3種型態：
● 純粹的固態式磁碟陣列：以Flash記憶體作為儲存媒體，搭配DRAM快取記憶體組成純固態磁碟陣列，藉以擺脫傳統硬碟搜尋回應時間的瓶頸，供對IOPS效能有特殊需求的用戶使用。
● 分級儲存中的高速層：利用SSD取代過去的1.5萬轉硬碟，作為分級儲存機制中的高速存取層，用以存放存取頻率最高的「熱點」資料。
● Flash快取記憶體：利用Flash記憶體作為第2層的快取記憶體，輔助DRAM構成的第1層快取記憶體。
本次是作為高速層以及DRAM的第二層快取同時運作的模式，針對各儲存層I/O負載與效能的監控功能等，不過最重要的兩個指標分別是「精細度」與「運作週期」。文章內容對於細部設定敘述有簡略，歡迎討論！
