讀取真的很強 寫入小弟我就不敢領教了
還是乖乖等SLC降價拉
看大家討論到SLC跟MLC...
對SLC(Single Layer Cell)似乎很推崇?
其實, 未來SLC一定會被洮汰~
只有MLC(Multi Layer Cell)可以把Nand flash單位容量的成本及價格再壓低~
不管東芝, 三星, 海力士或IM Flash 都會朝MLC發展~
我甚至可以打包票, 現在市面上很多記憶卡或隨身碟, 都已是MLC的晶片...
很多4X奈米的Flash都是2LC(雙層)起跑, 明年主流可能就提升到3LC(三層)了...
(以我所屬產業所看到的產品, 幾乎看不到SLC這玩意了)
以Nand flash製造時的特性來說, SLC可以有較長的壽命,
但就算MLC理論讀寫只有一萬次, 也不會很快就掛點...
詳見下方資訊!
http://angusdev.mysinablog.com/index.php?op=ViewArticle&articleId=1109068
再來是速度,
其實SLC也不會比MLC快,
速度快慢, 絕大部分是控制在控制IC...
Nand flash影響則占很小的比例!
當然了, 不同家的Flash, 讀寫上的"特性"還是會有差別...
但控制IC效率不佳, 有再快的Flash晶片也沒搭的~
以上, 僅個人在相關業界的認知, 希望可以釐清一些觀念~