超頻為什麼要加電壓用極冷(ln2液態氮or乾冰)的原理

[rdriftking]

超頻為什麼要加電壓呀~真正的詳細原理為何?

加壓加太高為甚麼反而會不給開?(如果溫度有降到合理(例如室溫)的溫度的話)

又為什麼超到6GHz以上用液態氮會比較穩定，乾冰不行嗎，都可以降到合理的工作溫度壓~為什麼零下70度(乾冰)跟零下170度(ln2)的極限會有差呢~?

google都查不到這方面比較深入的東西~各位高手們拜託幫幫忙解答一下~專有名詞出來沒關係~我再去google這些名詞就好了~感激不盡~

 

[authenticamd]

半導體元件物理特性：
1. 同樣電壓下，溫度越低，元件可以通過的電流越大→速度越快。溫度升高，電壓不變時，電流變小→速度變慢。
2. 相同溫度下，電壓越高，電流越大→速度越快。

 

[csh791204]

半導體元件物理特性：
1. 同樣電壓下，溫度越低，元件可以通過的電流越大→速度越快。溫度升高，電壓不變時，電流變小→速度變慢。
2. 相同溫度下，電壓越高，電流越大→速度越快。

學到新知識
感謝

 

[Abcb]

半導體元件物理特性：
1. 同樣電壓下，溫度越低，元件可以通過的電流越大→速度越快。溫度升高，電壓不變時，電流變小→速度變慢。
2. 相同溫度下，電壓越高，電流越大→速度越快。

半導體的特性可別亂說...

基本上電壓是驅動電流產生的原力, 當然電壓越大產生的電流就越大.

不過半導體對溫度的關係和金屬導體可不相同, 半導體在溫度上昇時往往會有更低的電阻值, 會造成相同電壓下的導通電流加大, 詳情請去查詢半導體的導電原理即可知一二.
也早有多位前輩測出CPU在溫度提昇後耗電量會隨之上昇, 和此特性一致.

而以下部分出於我個人猜測XD

加壓有助於提昇頻率應該和數位訊號傳輸時的訊號拾取準位有關...
需要降溫以拉高頻率應該是和熱噪有關...
兩者都是增加訊號準確度的手段^_^

至於半導體通過的電流越大是否就速度越快? 我個人覺得是沒有正相關的.

 

[littlewbot]

[FONT="楷体"]我們已知道超導體可以在極冷的環境工作，但矽半導體的工作溫度呢?
專科時有74系列54系列是區分商規及軍規，現在的半導體技術對久未接觸來說是個謎?
液態氮冷卻!那不給冰鎮住了?
還請先進釋疑.[/FONT]

 

[rdriftking]

半導體的特性可別亂說...

基本上電壓是驅動電流產生的原力, 當然電壓越大產生的電流就越大.

不過半導體對溫度的關係和金屬導體可不相同, 半導體在溫度上昇時往往會有更低的電阻值, 會造成相同電壓下的導通電流加大, 詳情請去查詢半導體的導電原理即可知一二.
也早有多位前輩測出CPU在溫度提昇後耗電量會隨之上昇, 和此特性一致.

而以下部分出於我個人猜測XD

加壓有助於提昇頻率應該和數位訊號傳輸時的訊號拾取準位有關...
需要降溫以拉高頻率應該是和熱噪有關...
兩者都是增加訊號準確度的手段^_^

至於半導體通過的電流越大是否就速度越快? 我個人覺得是沒有正相關的.

樓上大大說的會不會是通過電流量的"最大極限"，會不會是雖然電阻增加電流卻可以通過的更多、功耗增加更多更多而運算不發生錯誤~
恩恩~"熱燥".........我查一下
感謝大大的解答~算是有線索了~

 

[rdriftking]

半導體元件物理特性：
1. 同樣電壓下，溫度越低，元件可以通過的電流越大→速度越快。溫度升高，電壓不變時，電流變小→速度變慢。
2. 相同溫度下，電壓越高，電流越大→速度越快。

你說的速度是時脈嗎? 是的話就解決一項問題了~謝謝大大的解答~

 

[authenticamd]

半導體的特性可別亂說...

基本上電壓是驅動電流產生的原力, 當然電壓越大產生的電流就越大.

不過半導體對溫度的關係和金屬導體可不相同, 半導體在溫度上昇時往往會有更低的電阻值, 會造成相同電壓下的導通電流加大, 詳情請去查詢半導體的導電原理即可知一二.
也早有多位前輩測出CPU在溫度提昇後耗電量會隨之上昇, 和此特性一致.

根據UMC釋出的 SPICE 參數，以 HSPICE 2006.09版模擬的結果 (模擬環境僅改變溫度，詳細設定在此略過)：

N-type MOSFET 在相同電壓下 (p-Type MOSFET 結果類似，而構成數位電路的半導體元件，基本上就是這兩種。當然，半導體元件絕對不只這些）：

0 C 導通電流為40.7uA，約2456歐姆
27 C 導通電流為35.7uA，約2801歐姆
100 C 導通電流為 26.5uA，約3769歐姆

思考一下，低溫下拍照，電池是否很快就沒電了？為什麼？是不是因為 DC 內部電路消耗較多電流了！？溫度升高 CPU 耗電，為什麼？ CPU在相同頻率下工作，需要的能量為定值，但是供應的能量卻變成了熱能，效率降低，為了供應 CPU 所需的能量，POWER 是不是要更勤勞些 .......

或說回來，或許 UMC 的半導體元件特性真的比較奇怪也說不定。看了大大的意見，在下終於明白為什麼 UMC 老是被 TSMC 壓著打：因為 UMC 的半導體特性竟然違反了大自然的規律。奇怪的是，這麼重大的發現，諾貝爾竟然沒有頒個破銅爛鐵獎給 UMC，真 TMD 的種族歧視！

 

[Abcb]

根據UMC釋出的 SPICE 參數，以 HSPICE 2006.09版模擬的結果 (模擬環境僅改變溫度，詳細設定在此略過)：

N-type MOSFET 在相同電壓下 (p-Type MOSFET 結果類似，而構成數位電路的半導體元件，基本上就是這兩種。當然，半導體元件絕對不只這些）：

0 C 導通電流為40.7uA，約2456歐姆
27 C 導通電流為35.7uA，約2801歐姆
100 C 導通電流為 26.5uA，約3769歐姆

思考一下，低溫下拍照，電池是否很快就沒電了？為什麼？是不是因為 DC 內部電路消耗較多電流了！？溫度升高 CPU 耗電，為什麼？ CPU在相同頻率下工作，需要的能量為定值，但是供應的能量卻變成了熱能，效率降低，為了供應 CPU 所需的能量，POWER 是不是要更勤勞些 .......

或說回來，或許 UMC 的半導體元件特性真的比較奇怪也說不定。看了大大的意見，在下終於明白為什麼 UMC 老是被 TSMC 壓著打：因為 UMC 的半導體特性竟然違反了大自然的規律。奇怪的是，這麼重大的發現，諾貝爾竟然沒有頒個破銅爛鐵獎給 UMC，真 TMD 的種族歧視！

我個人是不知道MOSFET是不是就全然等同於"半導體"啦... 這個就期待您的說明了.

至於低溫下的DC運作時間問題, 就個人所知是因為電池內的化學變化受低溫影響所致, 和電路本體的效率關連恐怕不大. CPU的部份可能就得做詳細的實驗才能了解到底耗能變大的原因為何了, 至少根據之前所看到的測試, 應該是可以排除SPS受溫度影響而效率下降的假設啦...

我相信如果UMC真地突破了半導體的基本特性, 那應該早可以把TSMC打到趴.
所以很顯然地UMC還無法突破, 因此這其中一定有誤會, 可惜我程度太淺, 無法參透XD

也或許是以前所學的基礎原理在現今一日千里的科學發展下, 早已被推翻了... 但資訊落後的我還是無法即時更新. 連查查wiki都無法得到不同的資訊, 還麻煩指點明路好一窺蹊徑^_^

 

[littlewbot]

我個人是不知道MOSFET是不是就全然等同於"半導體"啦... 這個就期待您的說明了.

至於低溫下的DC運作時間問題, 就個人所知是因為電池內的化學變化受低溫影響所致, 和電路本體的效率關連恐怕不大. CPU的部份可能就得做詳細的實驗才能了解到底耗能變大的原因為何了, 至少根據之前所看到的測試, 應該是可以排除SPS受溫度影響而效率下降的假設啦...

我相信如果UMC真地突破了半導體的基本特性, 那應該早可以把TSMC打到趴.
所以很顯然地UMC還無法突破, 因此這其中一定有誤會, 可惜我程度太淺, 無法參透XD

也或許是以前所學的基礎原理在現今一日千里的科學發展下, 早已被推翻了... 但資訊落後的我還是無法即時更新. 連查查wiki都無法得到不同的資訊, 還麻煩指點明路好一窺蹊徑^_^

[FONT="楷体"]借助 閣下搜尋功力，"銅製程"到底是怎麼回事?
用銅做的晶片嗎?[/FONT]