補充說明
大家一定覺得公式是怎麼得來的？
當然就是網路流傳啊！（網路流傳的東西 要嘛！極正確 要嘛！極錯誤）
公式：
正常情況之下
CPU理想工作電壓內, 電壓的平方與耗電量成正比, 頻率也與耗電量正比
但
加壓 與 熱量提昇之後
工作溫度似乎 關係到電晶體工作效率的問題
高溫會造成電子遷移率
1.電晶體性能退化
2.柵極性能的退化
3.漏電流的急劇增加
晶片發熱量增加
當晶片上的電晶體數量大幅增加後，有一個無法避免的問題也跟著發生了，那就是晶片的發熱量也大幅增加。一般的積體電路元件在高溫下操作可能會導致切換速度受到影響，或是導致可靠度與壽命的問題。在一些發熱量非常高的積體電路晶片如微處理器，目前需要使用外加的散熱系統來緩和這個問題。
閘極氧化層漏電流增加
閘極氧化層隨著金氧半場效電晶體尺寸變小而越來越薄，目前主流的半導體製程中，甚至已經做出厚度僅有1.2奈米的閘極氧化層，大約等於5個原子疊在一起的厚度而已。在這種尺度下，所有的物理現象都在量子力學所規範的世界內，例如電子的穿隧效應。因為穿隧效應，有些電子有機會越過氧化層所形成的位能障壁（potential barrier）而產生漏電流，這也是今日積體電路晶片功耗的來源之一。
有非常非常多人會有錯誤觀念, 把TDP當成CPU實際耗電
但
TDP其實還有另一層意義
就是散熱器壓制能力
重點就是
盡量避免加壓（小超怡情 大超...）
溫度壓制
在意 超頻之後的功耗 想要省電 就要去"挑體質"
就是我主張的不用太好的主機板
不在意 超頻之後的功耗 只想要單單就是得到效能 就算頻率再低 只要能超也無所謂
必須很好的主機板 提供的電供
想延伸閱讀
請自行搜尋 金屬氧化物半導體場效電晶體
今日半導體元件的材料通常以矽為首選，但是也有些半導體公司發展出使用其他半導體材料的製程，當中最著名的例如國際商業機器股份有限公司使用矽與鍺的混合物所發展的矽鍺製程
大家一定覺得公式是怎麼得來的？
當然就是網路流傳啊！（網路流傳的東西 要嘛！極正確 要嘛！極錯誤）
公式：
正常情況之下
CPU理想工作電壓內, 電壓的平方與耗電量成正比, 頻率也與耗電量正比
但
加壓 與 熱量提昇之後
工作溫度似乎 關係到電晶體工作效率的問題
高溫會造成電子遷移率
1.電晶體性能退化
2.柵極性能的退化
3.漏電流的急劇增加
晶片發熱量增加
當晶片上的電晶體數量大幅增加後，有一個無法避免的問題也跟著發生了，那就是晶片的發熱量也大幅增加。一般的積體電路元件在高溫下操作可能會導致切換速度受到影響，或是導致可靠度與壽命的問題。在一些發熱量非常高的積體電路晶片如微處理器，目前需要使用外加的散熱系統來緩和這個問題。
閘極氧化層漏電流增加
閘極氧化層隨著金氧半場效電晶體尺寸變小而越來越薄，目前主流的半導體製程中，甚至已經做出厚度僅有1.2奈米的閘極氧化層，大約等於5個原子疊在一起的厚度而已。在這種尺度下，所有的物理現象都在量子力學所規範的世界內，例如電子的穿隧效應。因為穿隧效應，有些電子有機會越過氧化層所形成的位能障壁（potential barrier）而產生漏電流，這也是今日積體電路晶片功耗的來源之一。
有非常非常多人會有錯誤觀念, 把TDP當成CPU實際耗電
但
TDP其實還有另一層意義
就是散熱器壓制能力
重點就是
盡量避免加壓（小超怡情 大超...）
溫度壓制
在意 超頻之後的功耗 想要省電 就要去"挑體質"
就是我主張的不用太好的主機板
不在意 超頻之後的功耗 只想要單單就是得到效能 就算頻率再低 只要能超也無所謂
必須很好的主機板 提供的電供
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請自行搜尋 金屬氧化物半導體場效電晶體
今日半導體元件的材料通常以矽為首選，但是也有些半導體公司發展出使用其他半導體材料的製程，當中最著名的例如國際商業機器股份有限公司使用矽與鍺的混合物所發展的矽鍺製程
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