WD 最近首發了96層 3D NAND，除了使用新一代 BiCS 4 技術，預計下半年開始出樣。值得注意的是，WD的 BiCS4 不僅會有TLC，還將支援尚未公開上市的 QLC 類型。
3D NAND 將在2017年超越 2D NAND 並成為主流，四大 NAND 廠商也都量產了32層、48層堆棧的快閃記憶體，64層堆棧的NAND也有三星、東芝、WD、IMFT 在下半年量產，SK Hynix 的則是72層堆棧。再下一代就要輪到96層堆棧了，不過這次首發的並不是預期中的三星，而是 WD。
WD 今天宣布推出96層堆棧的3D NAND，相比目前64層堆棧快閃記憶體使用的 BiCS 3 技術，96層 3D NAND 使用的是 BiCS 4 技術，預計在2017年下半年出樣給客戶， 2018年開始量產。
堆棧的層數越多，3D NAND 容量就越大，成本越低，不過 WD 目前的96層堆棧核心容量為256Gb（官方未公佈是MLC還是TLC），尚且不及64層堆棧的512Gb（TLC ）核心容量。
BiCS 4 技術最大的意義不只是堆棧層數更多，WD 提到96層 3D NAND 不僅會有TLC類型的，還會支援 QLC，也就是4bit MLC。如今 WD 第一個表態會支援 QLC，三星、東芝、美光、Intel、SK Hynix 等廠商的 QLC 應該也不遠了。儘管 QLC 的可靠性、壽命要比TLC更差一些，不過從實際測試來看，隨著容量的增加、技術的改善，TLC閃存並沒有想像中那麼容易寫死，現在 TLC 已經是市場上的主流了，MLC 已經相當少見了，而未來加入 QLC 之後就會想說 TLC 其實也不錯了XDD。
來源：http://www.expreview.com/55277.html
3D NAND 將在2017年超越 2D NAND 並成為主流，四大 NAND 廠商也都量產了32層、48層堆棧的快閃記憶體，64層堆棧的NAND也有三星、東芝、WD、IMFT 在下半年量產，SK Hynix 的則是72層堆棧。再下一代就要輪到96層堆棧了，不過這次首發的並不是預期中的三星，而是 WD。
WD 今天宣布推出96層堆棧的3D NAND，相比目前64層堆棧快閃記憶體使用的 BiCS 3 技術，96層 3D NAND 使用的是 BiCS 4 技術，預計在2017年下半年出樣給客戶， 2018年開始量產。
堆棧的層數越多，3D NAND 容量就越大，成本越低，不過 WD 目前的96層堆棧核心容量為256Gb（官方未公佈是MLC還是TLC），尚且不及64層堆棧的512Gb（TLC ）核心容量。
BiCS 4 技術最大的意義不只是堆棧層數更多，WD 提到96層 3D NAND 不僅會有TLC類型的，還會支援 QLC，也就是4bit MLC。如今 WD 第一個表態會支援 QLC，三星、東芝、美光、Intel、SK Hynix 等廠商的 QLC 應該也不遠了。儘管 QLC 的可靠性、壽命要比TLC更差一些，不過從實際測試來看，隨著容量的增加、技術的改善，TLC閃存並沒有想像中那麼容易寫死，現在 TLC 已經是市場上的主流了，MLC 已經相當少見了，而未來加入 QLC 之後就會想說 TLC 其實也不錯了XDD。
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