幾年前 Intel 提出了一個 Tick-Tock 鐘擺戰略——
CPU架構、製程每隔一年升級一次，也就是說2年為一個週期間隔升級架構或者製程。
這個戰略在SNB、IVB、Haswell 處理器上都成功了，但14nm製程因為遇到困難而延期了，
升級週期加長，14nm及未來的10nm都要戰三代，不過 Intel 表示這些都不是問題，
7nm 節點才是關鍵，屆時他們將重回摩爾定律軌道，Tick-Tock戰略要重回正軌了。
前一篇新聞中提到 AMD 今年終於能跟 Intel 實現同代製程競爭了——
Zen 架構使用三星/GF的14nm FinFET製程，年底的 Kaby Lake 也會使用Intel的14nm FinFET製程。
但在這背後，並非 AMD 追趕腳步加快了，實質上是 Intel 被迫放慢了製程進化。
不僅14nm製程要戰三代，預計2017年正式量產的10nm製程也會有
Cannonlake、Ice Lake 及 Tiger Lake 三代處理器，
這樣一來 Tick-Tock 的升級週期早就不是之前預計的2年，而是2年半甚至3年才升級一次製程。
Intel 新製程腳步放緩也給了TSMC、三星“放肆”的本錢，
這兩家代工廠的製程原本一直落後 Intel 半代甚至一代，但10nm及7nm節點上各種出風頭，
其中TSMC表示今年底就會量產10nm製程，2018年就能量產7nm製程，2020年可以推出5nm製程，
就官方所訂的策略進度比 Intel 快得多。
考慮到這幾家公司的品質，相信 Intel 的謹慎還是有道理的。
不過面對對手這般囂張，Intel也不能示弱。10nm製程是在14nm基礎上改進的，
但10nm之下的製程難度就不一樣了，要想實現7nm及未來的5nm製程，
科研人員在積極研發新材料及新製程，半導體製造裝備也要升級，其中的一個關鍵就是EUV光刻機，
只是ASML現在的EUV光刻機不論產能還是可靠性都不能滿足大規模量產的需要。
Intel 已經準備好在7nm節點捍衛自己的榮譽了，
CFO Stacy Smith日前在摩根斯坦利年度技術會議上表示14nm、10nm製程雖然比預期進度延遲了半年，
但在7nm製程上會有重大突破，Intel將在該節點重回2年一次的摩爾定律升級週期。
Smith並沒有明確提及7nm節點他們會有什麼秘密武器，
不過之前有消息提到了Intel的各種黑科技，包括量子阱晶體管、銦鎵砷及應變鍺新材料等等。
來源：http://www.expreview.com/45899.html
CPU架構、製程每隔一年升級一次，也就是說2年為一個週期間隔升級架構或者製程。
這個戰略在SNB、IVB、Haswell 處理器上都成功了，但14nm製程因為遇到困難而延期了，
升級週期加長，14nm及未來的10nm都要戰三代，不過 Intel 表示這些都不是問題，
7nm 節點才是關鍵，屆時他們將重回摩爾定律軌道，Tick-Tock戰略要重回正軌了。
前一篇新聞中提到 AMD 今年終於能跟 Intel 實現同代製程競爭了——
Zen 架構使用三星/GF的14nm FinFET製程，年底的 Kaby Lake 也會使用Intel的14nm FinFET製程。
但在這背後，並非 AMD 追趕腳步加快了，實質上是 Intel 被迫放慢了製程進化。
不僅14nm製程要戰三代，預計2017年正式量產的10nm製程也會有
Cannonlake、Ice Lake 及 Tiger Lake 三代處理器，
這樣一來 Tick-Tock 的升級週期早就不是之前預計的2年，而是2年半甚至3年才升級一次製程。
Intel 新製程腳步放緩也給了TSMC、三星“放肆”的本錢，
這兩家代工廠的製程原本一直落後 Intel 半代甚至一代，但10nm及7nm節點上各種出風頭，
其中TSMC表示今年底就會量產10nm製程，2018年就能量產7nm製程，2020年可以推出5nm製程，
就官方所訂的策略進度比 Intel 快得多。
考慮到這幾家公司的品質，相信 Intel 的謹慎還是有道理的。
不過面對對手這般囂張，Intel也不能示弱。10nm製程是在14nm基礎上改進的，
但10nm之下的製程難度就不一樣了，要想實現7nm及未來的5nm製程，
科研人員在積極研發新材料及新製程，半導體製造裝備也要升級，其中的一個關鍵就是EUV光刻機，
只是ASML現在的EUV光刻機不論產能還是可靠性都不能滿足大規模量產的需要。
Intel 已經準備好在7nm節點捍衛自己的榮譽了，
CFO Stacy Smith日前在摩根斯坦利年度技術會議上表示14nm、10nm製程雖然比預期進度延遲了半年，
但在7nm製程上會有重大突破，Intel將在該節點重回2年一次的摩爾定律升級週期。
Smith並沒有明確提及7nm節點他們會有什麼秘密武器，
不過之前有消息提到了Intel的各種黑科技，包括量子阱晶體管、銦鎵砷及應變鍺新材料等等。
來源：http://www.expreview.com/45899.html
