這是一對好的TCCD嗎??

windwithme

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Originally posted by marc+Mar 10 2005, 10:46 PM--></div><table border='0' align='center' width='95%' cellpadding='3' cellspacing='1'><tr><td>QUOTE (marc @ Mar 10 2005, 10:46 PM)</td></tr><tr><td id='QUOTE'>
Originally posted by windwithme@Mar 10 2005, 10:37 PM
Originally posted by marc@Mar 10 2005, 10:16 PM
<!--QuoteBegin-windwithme
@Mar 10 2005, 10:14 PM
3-3-5是我一直達不到的夢想 ;cr;

風大有在bios改過tref的設定看看嗎 ;rr;

這點我就沒試過...調效那裡會有效果嗎?
謝謝 :)
本來無法穩定開機進os的
試過更改tref後

它居然穩的很 :blink:
可能就像魚兄所說的吧 :MMM: [/b][/quote]
馬克兄的參數從多少改多少呢?

剛測試level5&7不夠穩
後來改成6,跑比較久 :lol:
 

marc

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auto--->3120(200MHZ*15.6us)
不過我在想
不管幾us
200MHZ可能是最穩定的狀態

我有一對RAM
要設8才會穩
k8真的很難搞啊 ;cr;
 

windwithme

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Originally posted by marc@Mar 10 2005, 10:54 PM
auto--->3120(200MHZ*15.6us)
不過我在想
不管幾us
200MHZ可能是最穩定的狀態

我有一對RAM
要設8才會穩
k8真的很難搞啊 ;cr;
對啊
我快瘋了

很多u在友通強板上
設定都不太一樣才能到達最優化
考驗使用者的調效奶O... :ph34r:
 

faircast

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:MMM: 感謝分享參數設置
 

tacoChang

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Tref只是之前看到的文章有稍微提到 ;rr;
(啊...真懷念以前的PxDVD)
Tref的孕庣龠W頻應該沒有什麼差別
但是對維持資料正確性是有幫助的

現在印象較模糊
還有請專業人士出來造福大家... :OO:
小弟先吐一點口水...可能有錯聽聽就好 :co:

DRAM預設標準的Row不充電最長允陵伅′O64ms
若Row count是8K則應為(64*1000)/(8*1024)=7.8125us取7.8us
意即每隔7.8us就要令單條Row全部重新充電一次
所以以前就有Refresh Time=3.9us/7.8us/15.6us的設定
就是分別對應16K/8K/4K設計的DRAM

其實DFI板子的3120就剛好等於A64Tweaker的200MHz,15.6us:
15.6us / 5ns = 3120 cycles
也就是每3120個時脈週期,有一條Row就會refresh一次
重新充電維持電容器的電壓位準
再等3120個時脈週期則充電下一個Row...
但是其他設定值就要算算看對應到多少MHz.us了
之前有人PO出Tref的可選項目
但是小弟愚拙算不出來每個對應值
乾脆請吳大出來說明最快 :OO: ...

不知道TCCD官方的Row count是4K/8K還是16K?
若是依照3120 cycles*3.3ns(300MHz) = 10.296us是超過7.8us的
或野[壓也可以增加一點電容維持時間(?)(以正常2.6V的閾值而言)
否則正常8K refresh的DRAM在2.6V應該是撐不到15.6us以上的
每條RAM最大的Tref也是不定的,但一定符合訂定標準

Tref調太久(7.8us設成15.6us或是3.9us設成7.8us)
會造成資料錯誤
但是設太快則會妨礙資料讀取
(頻寬測試會有些微差距)
因為refresh是至上的...不可被任何指令延後
至於C大有說過調成100MHz,1.95us可以增快Super Pi運算
我也很好奇為什麼調快更新可以增快Super Pi :wacko:
(其實令我有點懷疑A64Tweaker的Tref有些選項有對應問題 :ph34r: )

但是小弟不懂的更多 :QQQ:
像是R/W Quene bypass.Bypass Max.Max Async Latency
完全一無所知的DLL/Drive Strength/32byte granularity/DQS skew
一切都有待專業大大出來釋疑啊... :OO:
 

marc

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Originally posted by tacoChang@Mar 10 2005, 11:45 PM
Tref只是之前看到的文章有稍微提到 ;rr;
(啊...真懷念以前的PxDVD)
Tref的孕庣龠W頻應該沒有什麼差別
但是對維持資料正確性是有幫助的

現在印象較模糊
還有請專業人士出來造福大家... :OO:
小弟先吐一點口水...可能有錯聽聽就好 :co:

DRAM預設標準的Row不充電最長允陵伅′O64ms
若Row count是8K則應為(64*1000)/(8*1024)=7.8125us取7.8us
意即每隔7.8us就要令單條Row全部重新充電一次
所以以前就有Refresh Time=3.9us/7.8us/15.6us的設定
就是分別對應16K/8K/4K設計的DRAM

其實DFI板子的3120就剛好等於A64Tweaker的200MHz,15.6us:
15.6us / 5ns = 3120 cycles
也就是每3120個時脈週期,有一條Row就會refresh一次
重新充電維持電容器的電壓位準
再等3120個時脈週期則充電下一個Row...
但是其他設定值就要算算看對應到多少MHz.us了
之前有人PO出Tref的可選項目
但是小弟愚拙算不出來每個對應值
乾脆請吳大出來說明最快 :OO: ...

不知道TCCD官方的Row count是4K/8K還是16K?
若是依照3120 cycles*3.3ns(300MHz) = 10.296us是超過7.8us的
或野[壓也可以增加一點電容維持時間(?)(以正常2.6V的閾值而言)
否則正常8K refresh的DRAM在2.6V應該是撐不到15.6us以上的
每條RAM最大的Tref也是不定的,但一定符合訂定標準

Tref調太久(7.8us設成15.6us或是3.9us設成7.8us)
會造成資料錯誤
但是設太快則會妨礙資料讀取
(頻寬測試會有些微差距)
因為refresh是至上的...不可被任何指令延後
至於C大有說過調成100MHz,1.95us可以增快Super Pi運算
我也很好奇為什麼調快更新可以增快Super Pi :wacko:
(其實令我有點懷疑A64Tweaker的Tref有些選項有對應問題 :ph34r: )

但是小弟不懂的更多 :QQQ:
像是R/W Quene bypass.Bypass Max.Max Async Latency
完全一無所知的DLL/Drive Strength/32byte granularity/DQS skew
一切都有待專業大大出來釋疑啊... :OO:
請受小弟一拜 ;lik;
 

tacoChang

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Originally posted by marc@Mar 10 2005, 11:55 PM
請受小弟一拜 ;lik;
噢不... :co:
我只是想要請專業大大出來糾正我的想法... ;rr;
小弟只是拾人牙慧罷了... ;ru;
 

柳堂司

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Originally posted by tacoChang+Mar 11 2005, 12:07 AM--></div><table border='0' align='center' width='95%' cellpadding='3' cellspacing='1'><tr><td>QUOTE (tacoChang @ Mar 11 2005, 12:07 AM)</td></tr><tr><td id='QUOTE'> <!--QuoteBegin-marc@Mar 10 2005, 11:55 PM
請受小弟一拜 ;lik;
噢不... :co:
我只是想要請專業大大出來糾正我的想法... ;rr;
小弟只是拾人牙慧罷了... ;ru; [/b][/quote]
關於大大說的這一點,不知道TCCD官方的Row count是4K/8K還是16K?
小弟也很好奇,要如何得知自己是哪一樣?
 

buniro

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Originally posted by tacoChang+Mar 11 2005, 12:07 AM--></div><table border='0' align='center' width='95%' cellpadding='3' cellspacing='1'><tr><td>QUOTE (tacoChang @ Mar 11 2005, 12:07 AM)</td></tr><tr><td id='QUOTE'> <!--QuoteBegin-marc@Mar 10 2005, 11:55 PM
請受小弟一拜 ;lik;
噢不... :co:
我只是想要請專業大大出來糾正我的想法... ;rr;
小弟只是拾人牙慧罷了... ;ru; [/b][/quote]
我們就是需要這種專業為本的論述,來導正大家模糊的概念呀!

:MMM: :MMM: :MMM:
 

kuby

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根據 tacoChang大大所說...REFRESH應該是更新率... :P
D43依照 HYNIX官方文件上面標示的是8K....
剛試了一下 512MB*2 設定為 200MHZ 7.8US
SANDRA很低...超級的低..不到1000 l|||

記憶體是否為雙面..還有是多大的(256MB或512MB)..以及有沒有跑雙
通道..這個設定差別在哪裡? 有哪位大大有研究嗎? :??:

另外我用D43的 512MB*2跑200 3.9US可以通過測試(250*10)
跑200 7.8US(250*10)反而ERROR一堆 :??:

**以上是在DFI ULTRA D上測試的..CPU是 3200+**
 
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