消息來源︰SAMSUNG 官方頁面發佈新聞稿
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(三星)宣佈研發出了業內首款4Gb容量的DDR3記憶體晶片。
這款記憶體晶片採用了50nm工藝制程具有更高的容量,但功耗卻比目前的DDR3記憶體更低
其標準工作電壓為1.35V,最大傳輸速度可達1.6GB/s。
這款4Gb DDR3記憶體晶片可應用在多個方面
可構成16GB容量的RDIMM或者8GB的UDIMM、SODIMM等
應用於伺服器、工作站以及桌面型電腦和筆記本電腦等領域
可構成16GB容量的RDIMM或者8GB的UDIMM、SODIMM等
應用於伺服器、工作站以及桌面型電腦和筆記本電腦等領域
而且還能夠通過dual-die封裝技術把容量擴增到最大32GB。
根據IDC(International Data Corporation)的調查
目前DDR3的市場份額為29%,預測到2011年將達到75%以上。