14/16nm 製程節點上，Samsung 比 TSMC 更早量產 FinFET 製程，
進度只比 Intel 落後，這一代的製程競逐賽就這麼定了。
在下一代 10nm 製程上，Samsung、TSMC 與 Intel 又開始較勁了，
Intel 比較謹慎，10nm製程的 Cannonlake 至少要到2017年Q3季度才能問世，
TSMC的10nm製程已經凍結研發，明年初試產，
而 Samsung 這次更進一步，率先使用 10nm FinFET 製程生產了 128Mbit SRAM 記憶體。
Samsung 日前宣布他們已經成功使用10nm FinFET製程生產了128Mbit SRAM快取記憶體，
後者通常用於處理器的快取（L1 / L2 / L3等等），速度比DRAM要快得多，
目前Intel、TSMC 的 SRAM 還是14、16nm製程。
Samsung 這麼快就生產出了10nm製程的SRAM快取記憶體說明他們的製程進展很順利。
根據 Samsung 所說，與14nm製程相比，其10nm SRAM核心面積縮小了37.5%，
如果應用於移動處理器，不僅性能更高，也有助於降低晶片核心面積。
至於10nm量產時間，Samsung 預計的時間點在2016年底，跟 TSMC 的樂觀預計差不多，
至少都比 Intel 的10nm製程進度要快，不過前提是這兩家公司都沒吹牛，而且製程進展一帆風順。
來源：http://www.expreview.com/44047.html
進度只比 Intel 落後，這一代的製程競逐賽就這麼定了。
在下一代 10nm 製程上，Samsung、TSMC 與 Intel 又開始較勁了，
Intel 比較謹慎，10nm製程的 Cannonlake 至少要到2017年Q3季度才能問世，
TSMC的10nm製程已經凍結研發，明年初試產，
而 Samsung 這次更進一步，率先使用 10nm FinFET 製程生產了 128Mbit SRAM 記憶體。
Samsung 日前宣布他們已經成功使用10nm FinFET製程生產了128Mbit SRAM快取記憶體，
後者通常用於處理器的快取（L1 / L2 / L3等等），速度比DRAM要快得多，
目前Intel、TSMC 的 SRAM 還是14、16nm製程。
Samsung 這麼快就生產出了10nm製程的SRAM快取記憶體說明他們的製程進展很順利。
根據 Samsung 所說，與14nm製程相比，其10nm SRAM核心面積縮小了37.5%，
如果應用於移動處理器，不僅性能更高，也有助於降低晶片核心面積。
至於10nm量產時間，Samsung 預計的時間點在2016年底，跟 TSMC 的樂觀預計差不多，
至少都比 Intel 的10nm製程進度要快，不過前提是這兩家公司都沒吹牛，而且製程進展一帆風順。
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