有關RAM最佳化的數值代表意思？

[Tommy0112]

看了釵h文常常看到RAM什麼2.2.2.5....請問這些數值是代表什麼意思！
當打開CPU-Z這程式==>選取RAM的地方==>然後出現以下：

時序：

頻率： 200.2MHz---->這個是整体頻率(是不是呢？)
外頻記憶体： CPU/12------->這個是？
CAS#延遲： 2.5週期-------->這個是？
RAS#到CAS#延遲： 4週期---------->這個是？
RAS#預充電： 4週期---------->這個是？
週期(Tras)： 7週期---------->這個是？
存儲週期(Trc)： 10週期--------->這個是？
閒置計時器： 16週期--------->這個是？

請問大大2.2.2.5<====這4個值是哪4個^^"

謝謝大大們的回覆....

 

[dog]

CAS#延遲： 2.5週期
RAS#到CAS#延遲： 4週期
RAS#預充電： 4週期
週期(Tras)： 7週期
這所以你的是2.5 4 4 7

 

[Tommy0112]

Originally posted by dog@Apr 17 2005, 03:22 PM
CAS#延遲： 2.5週期
RAS#到CAS#延遲： 4週期
RAS#預充電： 4週期
週期(Tras)： 7週期
這所以你的是2.5 4 4 7

非常感激大大的回答！
那再問一下是周期越短越好是嗎？
還是每個RAM不一定呢？

 

[a73126]

基本上是越低越好
但是~不是每一條記憶體都可以辦到的

 

[Tommy0112]

Originally posted by a73126@Apr 17 2005, 03:34 PM
基本上是越低越好
但是~不是每一條記憶體都可以辦到的

CAS#延遲： 2.5週期
RAS#到CAS#延遲： 4週期
RAS#預充電： 4週期
週期(Tras)： 7週期
這所以你的是2.5 4 4 7

我到BIOS找手動調整的地方看到如下：
CAS# latency--------------------->這個是2.5
Row cycle time
Row refresh cyc time
RAS# to CAS# delay-------------->這個是4
ROW TO ROW delay
MIN RAS# active time
ROW pracharge time
write recovery time
write to read delay

另兩個是英文中的？

 

[osiris]

也釦A可以考慮用英文版........ :ph34r:

 

[Tommy0112]

Originally posted by Tommy0112+Apr 17 2005, 03:45 PM--></div><table border='0' align='center' width='95%' cellpadding='3' cellspacing='1'><tr><td>QUOTE (Tommy0112 @ Apr 17 2005, 03:45 PM)</td></tr><tr><td id='QUOTE'> <!--QuoteBegin-a73126@Apr 17 2005, 03:34 PM
基本上是越低越好
但是~不是每一條記憶體都可以辦到的

CAS#延遲： 2.5週期
RAS#到CAS#延遲： 4週期
RAS#預充電： 4週期
週期(Tras)： 7週期
這所以你的是2.5 4 4 7

我到BIOS找手動調整的地方看到如下：
CAS# latency--------------------->這個是2.5
Row cycle time
Row refresh cyc time
RAS# to CAS# delay-------------->這個是4
ROW TO ROW delay
MIN RAS# active time
ROW pracharge time
write recovery time
write to read delay

另兩個是英文中的？ [/b][/quote]
CAS# latency--------------------->CAS#延遲： 2.5週期

RAS# to CAS# delay------------>RAS#到CAS#延遲： 4週期
MIN RAS# active time-------- >週期(Tras)： 7週期


RAS#預充電： 4週期===>這個是哪個呢？

 

[Tommy0112]

Originally posted by osiris@Apr 17 2005, 03:51 PM
也釦A可以考慮用英文版........ :ph34r:

大大 l||| 別損我了，就是看不懂英文還叫我用英文的！
真是用心良苦，書到用時方恨少 :O||:

 

[dog]

也是要看你顆粒模組的SPD值
並不是每一種都可以最佳化
一般而言
CAS Latency大多是2.5或3,好的RAM才能到2
RAS to CAS Delay大多是3或4,好的RAM才能到2
RAS Precharge Time大多是3或4,好的RAM才能到2(但這個不重要)
RAM Active Timing大多是7或8

 

[osiris]

Originally posted by Tommy0112+Apr 17 2005, 03:53 PM--></div><table border='0' align='center' width='95%' cellpadding='3' cellspacing='1'><tr><td>QUOTE (Tommy0112 @ Apr 17 2005, 03:53 PM)</td></tr><tr><td id='QUOTE'> <!--QuoteBegin-osiris@Apr 17 2005, 03:51 PM
也釦A可以考慮用英文版........ :ph34r:

大大 l||| 別損我了，就是看不懂英文還叫我用英文的！
真是用心良苦，書到用時方恨少 :O||: [/b][/quote]
我的意思是，用中文版和英文版對照 :ph34r: