前幾天Toshiba宣布了48層堆棧的BiCS 3D NAND、TSV製程的16層堆棧NAND,
BiCS技術的3D NAND預計今年底問世,核心容量有128Gb、256Gb兩種,
未來還會有堆棧層數更多的BiCS。除了這些之外,還有QLC(Quadruple Level Cell)也在Roadmap之內。
未來SSD除了MLC、TLC之外,可能還會有QLC,QLC是屬於BiCS類型的3D NAND,
Toshiba表示,QLC除了核心容量是MLC的四倍,耐用度也會高於MLC。
不過並未說明QLC何時會發布。
TLC NAND是每個Cell單元儲存3位電荷,有8種狀態,
QLC則是儲存4位電荷,有16種狀態,好處是儲存容量更大,
但控制更麻煩,可靠性要求更高,P/E次數也會降低。
來源:
http://www.custompcreview.com/news/fms-2015-toshiba-talks-qlc-bics-flash-for-archival-ssds/25776/
http://www.expreview.com/42394.html
BiCS技術的3D NAND預計今年底問世,核心容量有128Gb、256Gb兩種,
未來還會有堆棧層數更多的BiCS。除了這些之外,還有QLC(Quadruple Level Cell)也在Roadmap之內。
未來SSD除了MLC、TLC之外,可能還會有QLC,QLC是屬於BiCS類型的3D NAND,
Toshiba表示,QLC除了核心容量是MLC的四倍,耐用度也會高於MLC。
不過並未說明QLC何時會發布。
TLC NAND是每個Cell單元儲存3位電荷,有8種狀態,
QLC則是儲存4位電荷,有16種狀態,好處是儲存容量更大,
但控制更麻煩,可靠性要求更高,P/E次數也會降低。
來源:
http://www.custompcreview.com/news/fms-2015-toshiba-talks-qlc-bics-flash-for-archival-ssds/25776/
http://www.expreview.com/42394.html