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Part II
tRAS, tCL, tRCD and tRP
要調好系統的記憶體效能就得先透徹了解這4大金剛在搞啥.這4個參數是到目前為止
大家一定會在任何晶片組,或說是任何不同平台的主機板bios內看到. (只要你是玩超
頻的啦:D),其它細部副屬參數則是大多衍生自此.所以一定要詳加了解.
先從tRAS講起
**注意, 記憶體位址都會有"行"跟"列";所以狂少這一系列文章都會先以"行"來做說
明.所以,先解釋兩個縮寫: RAS 跟CAS
RAS=Row Address Strobe(或是Select)(行的位址選通脈衝)
CAS=Column Address Strobe(或是Select)(列位址選通脈衝)
tRAS:
tRAS在記憶體規範的解釋是Active to Precharge Delay，"行"的有效至行的預
先充電時間。
整體上是指memory從收到一個請求後到啟始化RAS真正開始接受資料的間
隔時間
這個參數看上去似乎很重要，其實設定數據上差不了多少但是也有一定高效能的範圍
來作設定。tRAS指令是再去執行新資料與指令的程序(例如開啟一個新的程序)
以英文來說就很容易了解:
Active to Precharge Delay (tRAS): After an “Active” command is issued,
another “Precharge” command cannot be issued until tRAS has been elapsed.
So this parameter limits when the memory can start reading (or writing) a
different row.
接下來幾個記憶體參數分別為CAS延遲，tRCD,以及tRP，這些參數又是如何來影
響系統效能的呢？
CAS:
CAS之意為列的位址選通脈衝(Column Address Strobe 或者Column Address
Select),CAS控制著從收到指令到執行指令的間隔時間，通常在DDRI為2，2.5,3這個
幾個週期; DDR2則為 3, 4, 5.
在整個記憶體矩陣中(就是行加上列的位址)，因為CAS是按列的位址來管理實體位址
，因此在穩定的基礎上，這個非常重要的參數值就不是讓大家說設多少多沒差的,當
然是越低效能會越高,但相對的,穩定性就會減低,原因就要看看CAS的程序;)
程序是這樣的,在記憶體陣列中分為行和列,當指令請求到達記憶體後,首先被觸發的
是tRAS (Active to Precharge Delay),資料被請求執行後需預先充電，一旦tRAS被
啟動後，RAS才開始在一半的物理位址中找尋位址，要被執行的行位被選定後tRCD啟
始化，最後才通過CAS找到精確的位址。整個程序也就是先跑"行尋址"再跑"列尋址"
也就是從RAS開始到CAS結束.
那比較簡單的說法是: CAS的時間..就是等於...舉例:
從A點到B點,如果是100公尺,兩個人下去跑
甲所需的時間是10.0秒;乙所需的時間是10.5秒
再假設,甲和乙都是機器人..那如果我們所設定的不是兩個都跑單趟
那是不是甲的第10.1秒及乙的第10.6秒才是第2段跑的開始.
**請不必理會方向性.
所以這就是Cas latency的基本概念;)
**談到CAS Latency,各位知道ram的delay時間長度如何計算嗎?;)
很簡單.我們舉個例子.
假設我手上有一對號稱DDR800 CL3的DDR2 (其實不管是I or II算法都一樣)
那我聽人家說...喔..800的IC是-2.5ns...
好請注意,拜託一下,看了狂少文章之後,請不要再說是"-2.5ns",那是廠商打印時為了
區分序號和IC時效所增加的一橫..:D
ok...怎麼算?
DDR 800...其實是跑400對吧?因為是Double Data Rate; 所以我們在算的時候是以真
實的頻率去計算.既然是頻率..那還不簡單...知道頻率,那時間就是頻率分之1的數值
對吧?所以公式就出現啦:
T= 1/F.....F當然就是Frequency..:D
那ddr800...是跑400mhz...那是1/400嗎? 錯!!...那個M是瞎咪啦?
M=mega=10的6次方..也就是要在400後面再加6個0
所以咧. 1/400000000 等於多少?---->0.0000000025
那為求方便起見,我們都習慣說是2.5x10的負9次方..
在數學上就是所謂的nano,所以一般通稱2.5奈米IC就是DDR800的IC速度
2.5 nano seconds知道後,還要知道啥?...我怎知道狂少說ddr800 cl3比cl4好?
攪不好他亂吹..
好,如果用說的不算,那我們用科學的方法來驗證!!
CL既然是記憶體最主要的延遲數據,那到底在該記憶體的規格上是全部延遲多少?
好
如果我們把速度都定好都是ddr800(400mhz real), 一個是CL3,一個是CL4,再加一個
CL5...
那就是:
公式: 總延遲時間= CL delay time (Value) x period of each clock cycle
DDR800 CL3= 3 x 2.5ns = 7.5ns
DDR800 CL4= 4 x 2.5ns = 10 ns
DDR800 CL5= 5 x 2.5ns = 12.5ns
也就是說,這3種ram是隔2.5ns的效能差距...800 CL3和800 CL5以不超頻跑同速來說
效能上已經差到50%左右嚕.這樣會算了吧.;)
tRCD:
根據標準tRCD是指 timing of RAS to CAS Delay（RAS至CAS延遲);那我們都知
道Ras是代表行的位址,CAS是列. 那在這兩個參數去尋找特定的位址點時,所要花費的
時間延遲,就是tRCD, tRCD重要性通常是僅次於Cas Latency.所以大家會看到
xxx牌ram標榜..800 3-4-3-x, 或是1000 4-5-4-15....第2位數就是TRCD!
再以一般通俗講法就是:
tRCD是RAS啟動去尋找特定位址所需時間和CAS啟動去尋找特定位址所需時間的....時
間差
那當然啊,時間越短就是效能越高..
請看圖
哈,有趣的來了,大家都知道, memory脫離不了讀與寫;)
從上圖來看,trcd也是等於整個memory從啟動到讀...這動作所需的延遲時間...
所以tRCD也可以稱為"TRCRD". 那大家有可能會產生疑問...mmm,狂少說,讀和寫嘛..
那有沒有TRCWD?...有...而且還是在最受歡迎的Intel P965晶片組上,而且參數設置
可以比TRCD緊很多. 不信大家打開memset看看第3個參數是啥?所以像這個TRCWD就是
在此出現嚕.
tRP:
tRP指RAS Precharge Time,就是行的預先充電時間。也就是記憶體從結束一個行
的定位結束到重新開始同樣動作的間隔時間,所以參數設置上比較沒那麼吃緊.舉例來
說如果你從事的工作需要大量的資料變化; 例如3D繪圖，此時一個程序就需要使用很
多的行來存儲!! tRP的參數值越低表示在不同行切換的速度會越快,當然也會促始讀
寫動作加快,那此時是不是又產生兩個副參數?那就是 TWTP 和TRTP;一樣的道理,
write一定比Read花久一點時間,所以在設置上; twtp一定要比trtp來得鬆,大家也可
以參考memset在965晶片上的設定!!都在subtimings中可以找到. TRP的圖解如下
Part II 總結：
或許你看完以上的解說後還是有一些不懂,其實大家也沒必要對整個記憶體的虛
擬動作與過程瞭解的非常透徹,這個並不影響你選什麼規格的記憶體,以及如何在BIOS
中最佳化你的記憶體參數. 最基本的,你應該知道的是系統至少需要搭配能滿足CPU及
頻寬的記憶體，然後CAS Latency越低越好.建議大家升級時,多考慮高頻一點的ram,
這樣或許你將來升級CPU時可以節省一筆記憶體費用,高頻率的記憶體都是向下相容的
!!
一般而言,想要把超頻做好,記憶體是很重要的一環,不是都靠運氣就會有好超的
東西上門;)超頻有85%的難題全部是卡在Ram的瓶頸.所以當開始超新板子時一定是先
把CPU及RAM其中一環定好,才不會導至首尾不能兼顧!!
Part III,狂少將會以實例來解釋這些所謂的理論部分. 至少懂這些之後,大家以後看
測試圖,一定是有看就有懂.:D
狂少
tRAS, tCL, tRCD and tRP
要調好系統的記憶體效能就得先透徹了解這4大金剛在搞啥.這4個參數是到目前為止
大家一定會在任何晶片組,或說是任何不同平台的主機板bios內看到. (只要你是玩超
頻的啦:D),其它細部副屬參數則是大多衍生自此.所以一定要詳加了解.
先從tRAS講起
**注意, 記憶體位址都會有"行"跟"列";所以狂少這一系列文章都會先以"行"來做說
明.所以,先解釋兩個縮寫: RAS 跟CAS
RAS=Row Address Strobe(或是Select)(行的位址選通脈衝)
CAS=Column Address Strobe(或是Select)(列位址選通脈衝)
tRAS:
tRAS在記憶體規範的解釋是Active to Precharge Delay，"行"的有效至行的預
先充電時間。
整體上是指memory從收到一個請求後到啟始化RAS真正開始接受資料的間
隔時間
這個參數看上去似乎很重要，其實設定數據上差不了多少但是也有一定高效能的範圍
來作設定。tRAS指令是再去執行新資料與指令的程序(例如開啟一個新的程序)
以英文來說就很容易了解:
Active to Precharge Delay (tRAS): After an “Active” command is issued,
another “Precharge” command cannot be issued until tRAS has been elapsed.
So this parameter limits when the memory can start reading (or writing) a
different row.
接下來幾個記憶體參數分別為CAS延遲，tRCD,以及tRP，這些參數又是如何來影
響系統效能的呢？
CAS:
CAS之意為列的位址選通脈衝(Column Address Strobe 或者Column Address
Select),CAS控制著從收到指令到執行指令的間隔時間，通常在DDRI為2，2.5,3這個
幾個週期; DDR2則為 3, 4, 5.
在整個記憶體矩陣中(就是行加上列的位址)，因為CAS是按列的位址來管理實體位址
，因此在穩定的基礎上，這個非常重要的參數值就不是讓大家說設多少多沒差的,當
然是越低效能會越高,但相對的,穩定性就會減低,原因就要看看CAS的程序;)
程序是這樣的,在記憶體陣列中分為行和列,當指令請求到達記憶體後,首先被觸發的
是tRAS (Active to Precharge Delay),資料被請求執行後需預先充電，一旦tRAS被
啟動後，RAS才開始在一半的物理位址中找尋位址，要被執行的行位被選定後tRCD啟
始化，最後才通過CAS找到精確的位址。整個程序也就是先跑"行尋址"再跑"列尋址"
也就是從RAS開始到CAS結束.
那比較簡單的說法是: CAS的時間..就是等於...舉例:
從A點到B點,如果是100公尺,兩個人下去跑
甲所需的時間是10.0秒;乙所需的時間是10.5秒
再假設,甲和乙都是機器人..那如果我們所設定的不是兩個都跑單趟
那是不是甲的第10.1秒及乙的第10.6秒才是第2段跑的開始.
**請不必理會方向性.
所以這就是Cas latency的基本概念;)
**談到CAS Latency,各位知道ram的delay時間長度如何計算嗎?;)
很簡單.我們舉個例子.
假設我手上有一對號稱DDR800 CL3的DDR2 (其實不管是I or II算法都一樣)
那我聽人家說...喔..800的IC是-2.5ns...
好請注意,拜託一下,看了狂少文章之後,請不要再說是"-2.5ns",那是廠商打印時為了
區分序號和IC時效所增加的一橫..:D
ok...怎麼算?
DDR 800...其實是跑400對吧?因為是Double Data Rate; 所以我們在算的時候是以真
實的頻率去計算.既然是頻率..那還不簡單...知道頻率,那時間就是頻率分之1的數值
對吧?所以公式就出現啦:
T= 1/F.....F當然就是Frequency..:D
那ddr800...是跑400mhz...那是1/400嗎? 錯!!...那個M是瞎咪啦?
M=mega=10的6次方..也就是要在400後面再加6個0
所以咧. 1/400000000 等於多少?---->0.0000000025
那為求方便起見,我們都習慣說是2.5x10的負9次方..
在數學上就是所謂的nano,所以一般通稱2.5奈米IC就是DDR800的IC速度
2.5 nano seconds知道後,還要知道啥?...我怎知道狂少說ddr800 cl3比cl4好?
攪不好他亂吹..
好,如果用說的不算,那我們用科學的方法來驗證!!
CL既然是記憶體最主要的延遲數據,那到底在該記憶體的規格上是全部延遲多少?
好
如果我們把速度都定好都是ddr800(400mhz real), 一個是CL3,一個是CL4,再加一個
CL5...
那就是:
公式: 總延遲時間= CL delay time (Value) x period of each clock cycle
DDR800 CL3= 3 x 2.5ns = 7.5ns
DDR800 CL4= 4 x 2.5ns = 10 ns
DDR800 CL5= 5 x 2.5ns = 12.5ns
也就是說,這3種ram是隔2.5ns的效能差距...800 CL3和800 CL5以不超頻跑同速來說
效能上已經差到50%左右嚕.這樣會算了吧.;)
tRCD:
根據標準tRCD是指 timing of RAS to CAS Delay（RAS至CAS延遲);那我們都知
道Ras是代表行的位址,CAS是列. 那在這兩個參數去尋找特定的位址點時,所要花費的
時間延遲,就是tRCD, tRCD重要性通常是僅次於Cas Latency.所以大家會看到
xxx牌ram標榜..800 3-4-3-x, 或是1000 4-5-4-15....第2位數就是TRCD!
再以一般通俗講法就是:
tRCD是RAS啟動去尋找特定位址所需時間和CAS啟動去尋找特定位址所需時間的....時
間差
那當然啊,時間越短就是效能越高..
請看圖
哈,有趣的來了,大家都知道, memory脫離不了讀與寫;)
從上圖來看,trcd也是等於整個memory從啟動到讀...這動作所需的延遲時間...
所以tRCD也可以稱為"TRCRD". 那大家有可能會產生疑問...mmm,狂少說,讀和寫嘛..
那有沒有TRCWD?...有...而且還是在最受歡迎的Intel P965晶片組上,而且參數設置
可以比TRCD緊很多. 不信大家打開memset看看第3個參數是啥?所以像這個TRCWD就是
在此出現嚕.
tRP:
tRP指RAS Precharge Time,就是行的預先充電時間。也就是記憶體從結束一個行
的定位結束到重新開始同樣動作的間隔時間,所以參數設置上比較沒那麼吃緊.舉例來
說如果你從事的工作需要大量的資料變化; 例如3D繪圖，此時一個程序就需要使用很
多的行來存儲!! tRP的參數值越低表示在不同行切換的速度會越快,當然也會促始讀
寫動作加快,那此時是不是又產生兩個副參數?那就是 TWTP 和TRTP;一樣的道理,
write一定比Read花久一點時間,所以在設置上; twtp一定要比trtp來得鬆,大家也可
以參考memset在965晶片上的設定!!都在subtimings中可以找到. TRP的圖解如下
Part II 總結：
或許你看完以上的解說後還是有一些不懂,其實大家也沒必要對整個記憶體的虛
擬動作與過程瞭解的非常透徹,這個並不影響你選什麼規格的記憶體,以及如何在BIOS
中最佳化你的記憶體參數. 最基本的,你應該知道的是系統至少需要搭配能滿足CPU及
頻寬的記憶體，然後CAS Latency越低越好.建議大家升級時,多考慮高頻一點的ram,
這樣或許你將來升級CPU時可以節省一筆記憶體費用,高頻率的記憶體都是向下相容的
!!
一般而言,想要把超頻做好,記憶體是很重要的一環,不是都靠運氣就會有好超的
東西上門;)超頻有85%的難題全部是卡在Ram的瓶頸.所以當開始超新板子時一定是先
把CPU及RAM其中一環定好,才不會導至首尾不能兼顧!!
Part III,狂少將會以實例來解釋這些所謂的理論部分. 至少懂這些之後,大家以後看
測試圖,一定是有看就有懂.:D
狂少
由板主最後編輯：
