據市調機構 DRAMeXchange 表示, DRAM 現貨市場因為庫存水位不低, DDR2 價格延續近期的走勢持續疲軟, DDR2 512Mb eTT 顆粒收在 0.82 美元,跌幅約 11.8% ;而 DDR2 1Gb eTT 顆粒則下滑至 1.65 美元,跌幅約 13.6% 。值得注意的是 , DDR2 1Gb 品牌顆粒的價格大幅下滑 18.2% 到 2.01 美元,主要原因 是受到上週的 DDR2 1Gb eTT 顆粒跌幅過快與合約價持續探底的雙重影響,再加上整體需求面依然不佳, DRAMeXchange 預估現貨市場價格仍會持續往下, DDR2 512Mb eTT 顆粒甚至將可能跌破 0.8 美元的目前關卡。
據了解, 11 月下旬的 DRAM 合約市場, DDR2 667 1GB 記憶體模組平均成交價約為 20 美元,與 11 月上旬 相較,跌幅約 10% 。根據 DRANeXchange 分析,除了 OEM 廠商拿貨的意願低落 之外,現貨市場跌價速度過快,也是造成合約價格走弱的主要原因。 12 月份適逢歐美的聖誕假期,在 OEM 廠商備貨意願不高的情形下,對於 12 月上旬合約價的議定,預期仍維持下跌的趨勢。
至於在 NAND Flash 方面, 11 月下旬 NAND Flash 合約價大致呈現持平的狀況,主要是因為下游客戶在 11 月上旬的庫存水位已有降低,加上部份廠商在 11 月下旬也開始準備年底銷售旺季前所需的晶片,使價格呈現比較止穩的現象。自 9 月初以來 NAND Flash 價格連續跌幅已過深, DRAMeXchange 預期 NAND Flash 合約價可望在年終旺季前的需求支援下,短期內呈現走穩的趨勢。
轉載:電腦領域
據了解, 11 月下旬的 DRAM 合約市場, DDR2 667 1GB 記憶體模組平均成交價約為 20 美元,與 11 月上旬 相較,跌幅約 10% 。根據 DRANeXchange 分析,除了 OEM 廠商拿貨的意願低落 之外,現貨市場跌價速度過快,也是造成合約價格走弱的主要原因。 12 月份適逢歐美的聖誕假期,在 OEM 廠商備貨意願不高的情形下,對於 12 月上旬合約價的議定,預期仍維持下跌的趨勢。
至於在 NAND Flash 方面, 11 月下旬 NAND Flash 合約價大致呈現持平的狀況,主要是因為下游客戶在 11 月上旬的庫存水位已有降低,加上部份廠商在 11 月下旬也開始準備年底銷售旺季前所需的晶片,使價格呈現比較止穩的現象。自 9 月初以來 NAND Flash 價格連續跌幅已過深, DRAMeXchange 預期 NAND Flash 合約價可望在年終旺季前的需求支援下,短期內呈現走穩的趨勢。
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