處理器 Intel Haswell 更多深入細節

[soothepain]

上週末的ISCCC 2014會議上，Intel公佈了更多Haswell架構細節，包括不同核心與核顯的搭配，eDRAM緩存的核心面積及性能，FIVR集成調壓模塊的優勢等等。

Anandtech網站做了一個簡單的分析，我們來看一下。首先是Haswell處理器不同核心數量與核顯的搭配方式。

Haswell 雙核、四核與核顯的搭配

Haswell的CPU核心有雙核、四核之分，還可以細分為常規電壓、ULT超低電壓版等，桌面的核顯則有GT2、GT3之分（更低端的GT1在一些閹割版賽揚中有出現），GT3還可以根據128MB緩存有無再細分為GT3e和普通GT3，因此至少有5種不同的組合搭配，詳細結果如下圖所示：

四核+GT3e配置最為高端，核心面積為260+77mm2，晶體管數量達到17億個以上，最低端的組合是雙核+GT2，核心面積只有130mm2，晶體管數只有9.6億個。

Haswell 的eDRAM緩存

GT3e核顯性能強勁的一大重要原因就是有了128MB eDRAM緩存，帶寬相比DDR3內存有了大幅提升。GT3e的eDRAM緩存使用了22nm 3D晶體管工藝製造，每個Cell單元面積為0.029um2，8個宏陣列，每個宏容量16MB，總計128MB容量，面積77mm2，頻率1.6GHz。

這128MB緩存並沒有集成到CPU內，而是採用MCP多芯片封裝集成在一個處理器內，CPU與緩存之間使用OPIO總線互聯。

CPU與eDRAM採用MCP多芯片封裝

OPIO（在封裝的I / O）總線

OPIO總線帶寬達到了102.4GB/s

DDR Power Gate電源柵極設計，相比前代可減少100x的漏電流

Haswell 節能設計

新增了C8、C9、C10級別的節能狀態

此外，Haswell上還使用了FIVR集成調壓模塊設計，全負載輸出下效率高達90%，只需要0.32微秒即可進入/離開睡眠狀態，達到Turbo加速狀態也只要0.1微秒。

FIVR效率更高

來源：
http://anandtech.com/show/7744/intel-reveals-new-haswell-details-at-isscc-2014
http://www.expreview.com/31301.html

 

[Angle200955]

感謝分享

 

[Jee]

很不錯的好文章,謝謝!

 

[play1990330]

看完結果 有看沒有懂 哈哈 感謝分享

 

[arthur0905]

看來實做了一個不錯的發想
不過效能如果還有待大家努力掏錢力拱來印証:MMM:

 

[我要開機啦]

有FIVR了
主機板上的相數之爭還會有什麼幫助嗎？

 

[authenticamd]

越來越接近SOC了！？

 

[wdcj]

又來長長見識，感謝分享。。。

 

[林浩志]

哀 看不懂.. 慚愧推一個...

 

[august88]

以後應該主機板上面就一顆CPU了吧

CPU就包山包海了