近日IBM的研究團隊自豪地宣布，他們已經成功地攻克了PCM相變存儲（Phase Change Memory）的多位封裝難題，為解決PCM相變存儲提升容量、降低成本指出了一條明路。
實際上PCM相變存儲已經存在多年，不過一直以來有一個重大難題制約著它的發展，就是每一個PCM相變存儲單元只能存儲1bit的數據，即1bpc（bit-per-cell）。這對PCM相變存儲提升容量、降低成本是一個巨大的阻力。
而最近IBM的研究團隊成功研發了多位存儲的PCM芯片，雖然採用的是90nm的CMOS工藝製造，不過這枚PCM芯片擁有者遠高於普通NAND芯片的讀寫速度和循環壽命，例如寫入延遲僅10微秒，寫入壽命達1000萬次等，這些都是NAND芯片“望塵莫及”的。
不過，IBM的研究團隊並沒有透露該PCM芯片的更多信息，例如每個存儲單元可以儲存多少數據等，而且從目前來看，多位PCM相變存儲芯片距離量產還有很長的距離。
來源：http://www.expreview.com/15995.html
實際上PCM相變存儲已經存在多年，不過一直以來有一個重大難題制約著它的發展，就是每一個PCM相變存儲單元只能存儲1bit的數據，即1bpc（bit-per-cell）。這對PCM相變存儲提升容量、降低成本是一個巨大的阻力。
而最近IBM的研究團隊成功研發了多位存儲的PCM芯片，雖然採用的是90nm的CMOS工藝製造，不過這枚PCM芯片擁有者遠高於普通NAND芯片的讀寫速度和循環壽命，例如寫入延遲僅10微秒，寫入壽命達1000萬次等，這些都是NAND芯片“望塵莫及”的。
不過，IBM的研究團隊並沒有透露該PCM芯片的更多信息，例如每個存儲單元可以儲存多少數據等，而且從目前來看，多位PCM相變存儲芯片距離量產還有很長的距離。
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