Originally posted by Jack_Tung@Sep 27 2004, 12:07 PM
一條TCCD 512MB @ DDR600 跑pattern時
約耗多少電啊???
這個可能要用三用電表及其他工具輔助啦
1. Memtest86+能過個幾圈...
進Windows Prime95 Blend Test秒殺...為何?
請教誰才是真正大魔王??
我也不太能回答請看下一段 說明
2. Prime95能跑...但點滴發現memtest86+有不規則錯誤...(1圈5個以下左右)
請教這是否即是高頻雜訊?
因為我沒有看過Prime95的source code所以就只能針對MEMTEST的原始碼來稍微解說
開機啟動--主機板BIOS會在0X7C00處起 bootsect.s 並將 bootsect.s的程式指向 0x90000同時
PC會從開始INITIAL,BIOS會中斷後把setup.s載入0x90200及0x10000 啟用head.s
call d0_test的function
我先稍微解釋pattern5
p0=0x80
p1=0x80808080
p2=p1(inverse)
p1,p1 will replace pattern4 p1,p2
p1 will shift 1 bit
p2=p1 (inverse)
到p1=0
在每一個shift moving
p1,p2 取代pattern4 p1,p2
我先指出這一段是說板子的layout當然也有關係
但是這一些就我來看(尤其是5)在98%
大家如果降低timing 我相信大多memory都其實還是好的
ex:我定一個3200 2-2-2-5
如果說個3200 2-2-2-5 不過ˋ的話 我相信降到3200 2-3-3-6甚至 2.54-4-8這一些都會好
可是這樣就會對不起我們ˊ的消費者,所以會以2225是一定過來作為我們的工廠標準
但是在高外頻的話這一點真的會有比較多的因素
例如cpu mb ram power pcb ...
我有一次碰過當我莊了穩壓器error就沒了
我想說的是錯一點和錯很多的分別 only 5 pattern,其他不適用
錯一點:ex如果說跑50多圈,結果禿然給你跳出一個 error可是呢50~100後就突然沒有.因為高頻的情況下
真的由0轉1或就那一個點轉不過來來導致error
錯很多:Ic如果真的fail我相信不用1圈就死給你看拉
3. TCCD特性是否加壓真的會縮缸?...(當然還是2.85V以下範圍)
雖然個人是沒經驗...但網友亦言之鑿鑿!
(其實"縮缸"這名詞不太對,鞥該從IC的規格表說起,關鍵點還是主因看IC特性)
EX:WINBOND hynix psc的特性是加壓可以提ram的超頻
至於說SAMSUNG在TCCD之前包含他上一代的DDR466的超頻性都並不是很好
EX:SAMSUNG TCCC TCC4 TCCC or "E"-TCC5的超頻性都尚可,向我以前試過
在3500 開 2 3 3 6有夠不穩,但是開 3500 2.5 3-3-6去卻又穩到不行
WINBOND mosel psc這些的ic我相信cl=2開的比穩的,但是cl=3怎麼卻也不開機
管你在加壓到了2.85可能就是不開機
像tccd -"F"-tcc5反而坐穩的工作電壓在2.6~2.8V 你在加壓反而無濟於事
我猜想新的製成也是個很重要的關鍵,要不然-E-TCC5,-F-TCC5遍不會有200上下的價差
像JEFFCHEN兄還可以2.6V只用,-F-TCC5上DDR600,C/P值更是誇張
在下一代的DDR2(的工作電壓也是降)1.75~1.95
所以說製成的轉換就是各價晶圓廠的能耐
當然還有一款MICRON的ic不過這只有crucial有而已 2-2-2-5
我沒試過可能要看上次coolaler.com狂少的的測試
華邦當然眾所知BH 2-2-2-5(近來華邦也開始又生產DRAM)
還有一款英飛凌 XXXXXX-5 就我所知也是可以 2 2 2 5(外頻拉高 我沒試過)