E8400 P5Q-E 超頻問題

布拉迪歐卡斯特

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RAM1.9V 跑450外頻無法開機
其他設定照原本的
調整到2.1V才有辦法開機
 

af6654

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CPU Voltage: 1.3000 CPUZ看到1.272V
CPU GTL Voltage Reference (0/2): 0.63
CPU GTL Voltage Reference (1/3): 0.63
CPU PLL Voltage: 1.52
FSB Termination Voltage:1.28
DRAM Voltage: 2.10
NB Voltage: 1.4
NB GTL Reference: 0.58
SBridge Voltage: 1.10V
PCIE SATA Voltage: 1.50V

記憶體參數用6-6-6-18穩定 用5-5-5-15可開機 但是燒機不過
目前可以500*8 穩跑 燒IBT及SP2004都還沒爆發
但是不知道如何讓NB降一點 只要往下一格 就會爆發或是無法開機

CPU GTL Voltage Reference (0/2): 0.63
CPU GTL Voltage Reference (1/3): 0.63
NB GTL Reference: 0.58

這3項去變看看吧 如果你插 1,3槽 就邊第一項 2,4就變第2項
第3項基本上應該是不用動 除非外頻超過500


大大這塊版子小弟沒用過
大大的記憶體標榜CL5 900吧??
如果是的話 應該2.1V是一定555 15 900穩跑~~~

NB Voltage: 1.4V<== 這個電壓太高了超到4G 1.2V應該就可以穩跑了
FSB Termination Voltage:1.28<== 這個電壓超到4G 1.2V應該就可以穩跑了

大大可以去"空冷散熱超頻"版面找一下E8400的超頻文章 應該可以在找到更多的答案
 

布拉迪歐卡斯特

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爬了一下文 套用了潛水貓大大的設定 我自己改了CPU及RAM的電壓 真的果然可以上4G了
AI Overclock tuner: Manual
CPU Ratio Setting: 8
FSB Strap to North Bridge: auto
FSB Frequency: 533
PCI-E Frequency: 100
DRAM Frequency: 1066
DRAM CLK Skew on Channel A1: AUTO
DRAM CLK Skew on Channel A2: AUTO
DRAM CLK Skew on Channel B1: AUTO
DRAM CLK Skew on Channel B2: AUTO
DRAM Timing Control: Manual

1st Information :

CAS# Latency: 5
DRAM RAS# to CAS# Delay: 5
DRAM RAS# Precharge: 5
DRAM RAS# Activate to Precharge: 15
RAS# to RAS# Delay : A
Row Refresh Cycle Time: A
Write Recovery Time:A
Read to Precharge Time: A

2nd Information :

READ to WRITE Delay (S/D): A
Write to Read Delay (S): A
WRITE to READ Delay (D): A
READ to READ Delay (S): A
READ to READ Delay (D): A
WRITE to WRITE Delay (S): A
WRITE to WRITE Delay (D): A

3rd Information :

WRITE to PRE Delay: A
READ to PRE Delay: A
PRE to PRE Delay: A
ALL PRE to ACT Delay: A
ALL PRE to REF Delay: A
DRAM Static Read Control: A
DRAM Read Training: A
MEM. OC Charger: A
AI Clock Twister: A
AI Transaction Booster: A

CPU電壓沒法低壓 用1.352V才有辦法燒機;em42;

CPU Voltage: 1.352V
CPU GTL Voltage Reference (0/2): AUTO
CPU GTL Voltage Reference (1/3): AUTO
CPU PLL Voltage: A
FSB Termination Voltage: A
DRAM Voltage: 2.10
NB Voltage: 1.26
NB GTL Reference: AUTO
SBridge Voltage: 1.10V
PCIE SATA Voltage: 1.50V

Load Line Calibration: A
CPU Spread Spectrum: Disabled
PCIE Spread Spectrum: Disabled
CPU Clock Skew : 200ps
NB Clock Skew : 200ps

i32884_201003191909.JPG


但是目前問題是卡在我的記憶體 我有爬了一下文 看到C大的測試文 芝奇DDR2 900 4-4-4-12這組(我也是用這組RAM)
有辦法2.0V上500外頻 但是我用4-4-4-12 卻沒法開機 5-4-4-15 可開機 不可燒機 5-5-5-15才有辦法燒機 這樣我需要再換RAM嗎 還是 有500就該偷笑了呢?
 

af6654

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但是目前問題是卡在我的記憶體 我有爬了一下文 看到C大的測試文 芝奇DDR2 900 4-4-4-12這組(我也是用這組RAM)
有辦法2.0V上500外頻 但是我用4-4-4-12 卻沒法開機 5-4-4-15 可開機 不可燒機 5-5-5-15才有辦法燒機 這樣我需要再換RAM嗎 還是 有500就該偷笑了呢?

你買的是900 cl5 基本上能再超上去 是幸運 不能超就認命吧0.0

小弟的1100 cl5 也想超1000 cl4 不過就是不給超0.0
另一組創見的 倒是沒試驗過 0.0


還有~~~~恭喜大大上4g了


p.s:u的電壓還是太高了 大約1.2~1.25v 應該是不用1.3v
 
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