日前JEDEC固態技術協會宣布DDR4記憶體標準將於2012年年中正式發布,同時他們還公佈了新記憶體標準的部分關鍵屬性,例如記憶體的工作電壓和頻率等。
JEDEC稱,DDR4記憶體在架構、頻率和工作電壓上都進行了重新定義,目的是為了簡化新標準,讓其可以更容易地部署和推廣。據顯示,DDR4記憶體的默認頻率將從1600MHz起跳,最高可達3200MHz,工作電壓則定為1.2V,同時還會進一步降低VDD電壓並保證I/O電壓穩定。雖然頻率比DDR3記憶體要高出不少,但由於工作電壓的降低,DDR4記憶體的功耗仍然比DDR3略低。
DDR4記憶體的其它特性:
-擁有x4/x8/x16三種數據帶寬選擇;
-採用全新的時鐘與閘門差分信號;
- DQ總線負責控制VDDQ終端,在VDD電壓衰減時亦能保持硬件穩定;
-改進ODT協議並加入全新的Park Mode,無需ODT針腳就可以實現常規終端和動態寫入終端功能;
-突發長度8,突發突變4;
-新增數據屏蔽功能;
-全新的DBI技術,可有效降低硬件功耗並提升數據的完整性;
-改進數據總線錯誤校驗技術;
-加入全新的指令/數據總線CA對等技術;
-新增支持DLL關閉模式。
目前,三星和海力士已經成功造出DDR4記憶體的測試用產品,不過距離記憶體的商用化仍然有一大段距離,畢竟目前仍然未有支持DDR4記憶體的主板和處理器誕生。按照目前的狀況來看,DDR4記憶體最快也要到2015年方能真正普及。
來源:http://www.expreview.com/16722.html
JEDEC稱,DDR4記憶體在架構、頻率和工作電壓上都進行了重新定義,目的是為了簡化新標準,讓其可以更容易地部署和推廣。據顯示,DDR4記憶體的默認頻率將從1600MHz起跳,最高可達3200MHz,工作電壓則定為1.2V,同時還會進一步降低VDD電壓並保證I/O電壓穩定。雖然頻率比DDR3記憶體要高出不少,但由於工作電壓的降低,DDR4記憶體的功耗仍然比DDR3略低。
![Samsung_30nm_ddr4.jpg](https://www.coolaler.com.tw/image/news/11/08/Samsung_30nm_ddr4.jpg)
DDR4記憶體的其它特性:
-擁有x4/x8/x16三種數據帶寬選擇;
-採用全新的時鐘與閘門差分信號;
- DQ總線負責控制VDDQ終端,在VDD電壓衰減時亦能保持硬件穩定;
-改進ODT協議並加入全新的Park Mode,無需ODT針腳就可以實現常規終端和動態寫入終端功能;
-突發長度8,突發突變4;
-新增數據屏蔽功能;
-全新的DBI技術,可有效降低硬件功耗並提升數據的完整性;
-改進數據總線錯誤校驗技術;
-加入全新的指令/數據總線CA對等技術;
-新增支持DLL關閉模式。
目前,三星和海力士已經成功造出DDR4記憶體的測試用產品,不過距離記憶體的商用化仍然有一大段距離,畢竟目前仍然未有支持DDR4記憶體的主板和處理器誕生。按照目前的狀況來看,DDR4記憶體最快也要到2015年方能真正普及。
來源:http://www.expreview.com/16722.html