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三星電子今天宣布，已經完成了歷史上第一款DDR4 DRAM規格內存條的開發，並採用30nm級工藝製造了首批樣品。
時至今日，DDR4內存的標準規範仍未最終定奪。三星這條樣品屬於UDIMM類型，容量為2GB，運行電壓只有1.2V，工作頻率為2133MHz，而且憑藉新的電路架構最高可以達到3200MHz。相比之下，DDR3內存的標準頻率最高僅為1600MHz，運行電壓一般為1.5V，節能版也有1.35V。 僅此一點，DDR4內存就可以節能最多40％。
根據此前的規劃 ，DDR4內存頻率最高有可能高達4266MHz，電壓則有可能降至1.1V乃至1.05V。
三星表示，這條DDR4內存使用了曾出現在高端顯存顆粒上的 “Pseudo Open Drain”(虛擬開漏極)技術 ，在讀取、寫入數據的時候漏電率只有DDR3內存的一半。
三星稱，上月底已經向一家控制器製造商提供了這種DDR4內存條的樣品進行測試，併計劃與多家內存廠商密切合作，幫助JEDEC組織在 今年下半年完成DDR4標準規範的製定工作 ，預計2012年開始投入商用。
回顧歷史，三星曾於1997年、2001年、2005年三次分別率先造出第一條DDR、DDR2、DDR3內存條，如今又在DDR4上繼續保持了領先地位。
PS:內存=記憶體
來源: 驅動之家
時至今日，DDR4內存的標準規範仍未最終定奪。三星這條樣品屬於UDIMM類型，容量為2GB，運行電壓只有1.2V，工作頻率為2133MHz，而且憑藉新的電路架構最高可以達到3200MHz。相比之下，DDR3內存的標準頻率最高僅為1600MHz，運行電壓一般為1.5V，節能版也有1.35V。 僅此一點，DDR4內存就可以節能最多40％。
根據此前的規劃 ，DDR4內存頻率最高有可能高達4266MHz，電壓則有可能降至1.1V乃至1.05V。
三星表示，這條DDR4內存使用了曾出現在高端顯存顆粒上的 “Pseudo Open Drain”(虛擬開漏極)技術 ，在讀取、寫入數據的時候漏電率只有DDR3內存的一半。
三星稱，上月底已經向一家控制器製造商提供了這種DDR4內存條的樣品進行測試，併計劃與多家內存廠商密切合作，幫助JEDEC組織在 今年下半年完成DDR4標準規範的製定工作 ，預計2012年開始投入商用。
回顧歷史，三星曾於1997年、2001年、2005年三次分別率先造出第一條DDR、DDR2、DDR3內存條，如今又在DDR4上繼續保持了領先地位。
PS:內存=記憶體
來源: 驅動之家
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