電子遷移(EM)是一種因傳導電子和金屬擴散原子之間的動量傳遞, 導致導體中的離子逐漸偏移的物質傳動現象.........
詳細請參考原文:
http://en.wikipedia.org/wiki/Electromigration
會導致CPU縮缸(電子元件退化) 的機制太多了, EM 只是其中一種, 其它還有 SM(stress migration, 不是A片的那個), NBTI, PBTI, GOI....., 反倒是 EM 造成的故障機率並不大, 業界通常要對銅導線施于100倍的電流才有半法在短時間內看到銅導線發生缺陷(pits).
一般而言, 會造成電子元件退化的大多發生在前段, 也就是所謂的電晶體閘極(transistor gate), 發生的機制絕大部份來自高溫與高電壓.
高溫就不用說了, 散熱要做好(請參考散熱討論群組), CPU可忍受的極限溫度在 90~105C之間, 但你若要你的U 活得長長久久, 60~70會是一個比較合適的溫度
至於電壓, 一般而言, 晶圓製造只保證 10%的電壓安全操作, 好比 DDR3 記憶體的國際規範是 1.5V, 但市面上的超頻記憶體會用到1.65V, 多了10%. 超出這個範圍的半導體的壽命就有可能縮減.
那半導體的壽命有多長呢? 以前486那個遙遠的 0.25/0.18um 年代大概可以保證20年, 現在32nm的話只有5~10年....., 對一些1~2年就要更新CPU的人基本上沒差, 所以他放心的大超, 運氣好在三年保固內掛掉還可以換一顆新的, 但對那些喜歡買二手U 的玩家就有差, 要小心選擇沒被凌虐過的U比較好.....有點離題了
提供給你參考