為了提供使用者更高的記憶體超頻體驗，主機板廠商在過去一直都致力於透過優化 BIOS、改善記憶體線路佈局以及透過雙記憶體槽設計等方式去實現。近日， ASUS 推出了一項專門針對記憶體超頻的新技術 NitroPath DRAM。
這款新技術對傳統的記憶體插槽進行重新設計，以達到縮短傳輸距離、降低訊號干擾等效果，據稱能做到超頻性能提升 400MT/s。
應用了 NitroPath DRAM 技術的記憶體插槽相比傳統記憶體插槽，主要是在與記憶體金手指接觸的引腳上做出了變化。 NitroPath DRAM 的引腳線路較短，且憑藉更合理的物理結構設計，提供更好的彈性，增強對記憶體的固定壓力。
其中，記憶體插入時的側向壓力從傳統的 6.23kgf 提升至 7.46kgf，拔出時釋放的的側向壓力從傳統的 3.88kgf 提升至 4.84kgf，插入後的持續壓力從傳統的 4.72kgf 提升至 7.42kgf，有效減少記憶體出現接觸不良或鬆脫的情況，帶來更穩定高效的傳輸效能。
NitroPath DRAM 技術的出現，可以說是繼加電壓、調小參、找到合適的 ODT 值這些軟體層面上的操作後，在硬體層面上為超頻玩家們提供了又一更好的超頻條件，減少木桶效應帶來的影響。
在 Gamescom 2024 上， ASUS 公布全新 X870E / X870 系列主機板，其中 ROG CROSSHAIR X870E HERO 和 ROG STRIX X870E-E GAMING WIFI 是首批支援 NitroPath DRAM 技術的主機板型號，相信在新技術的加持下，能夠進一步釋放 AM5 平台的記憶體效能。另外，此技術應該也會應用在10月要新推出的 Intel 800 系列主機板。
來源
這款新技術對傳統的記憶體插槽進行重新設計，以達到縮短傳輸距離、降低訊號干擾等效果，據稱能做到超頻性能提升 400MT/s。
應用了 NitroPath DRAM 技術的記憶體插槽相比傳統記憶體插槽，主要是在與記憶體金手指接觸的引腳上做出了變化。 NitroPath DRAM 的引腳線路較短，且憑藉更合理的物理結構設計，提供更好的彈性，增強對記憶體的固定壓力。
其中，記憶體插入時的側向壓力從傳統的 6.23kgf 提升至 7.46kgf，拔出時釋放的的側向壓力從傳統的 3.88kgf 提升至 4.84kgf，插入後的持續壓力從傳統的 4.72kgf 提升至 7.42kgf，有效減少記憶體出現接觸不良或鬆脫的情況，帶來更穩定高效的傳輸效能。
NitroPath DRAM 技術的出現，可以說是繼加電壓、調小參、找到合適的 ODT 值這些軟體層面上的操作後，在硬體層面上為超頻玩家們提供了又一更好的超頻條件，減少木桶效應帶來的影響。
在 Gamescom 2024 上， ASUS 公布全新 X870E / X870 系列主機板，其中 ROG CROSSHAIR X870E HERO 和 ROG STRIX X870E-E GAMING WIFI 是首批支援 NitroPath DRAM 技術的主機板型號，相信在新技術的加持下，能夠進一步釋放 AM5 平台的記憶體效能。另外，此技術應該也會應用在10月要新推出的 Intel 800 系列主機板。
來源
