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東芝、SanDisk在日本聯合運營了一家快閃記憶體生產廠，並攜手開發新的快閃記憶體製造工藝。雙方今天聯合宣佈，已經開始了第二代19nm快閃記憶體的批量生產，並將在本月底以此投產新的2bpc/MLC 64Gb NAND快閃記憶體顆粒。
相比於第一代19nm，新工藝將快閃記憶體單元的尺寸從19×26nm縮小到19×19.5nm，節約了整整25％的內核面積，從而可以實現更大容量或者更小面積的顆粒。東芝稱，新的MLC 64Gb快閃記憶體顆粒面積僅有區區94平方毫米，是世界上最小的。
加上獨有的變成演算法、多級資料存儲管理機制，新的快閃記憶體在性能、可靠性、成本上同樣有很好的保障。再輔以獨特的高速寫入方法，東芝宣稱其寫入速度最高可達25MB/s，同樣是MLC NAND快閃記憶體中最快的。
SanDisk預計很快就會發佈使用這種新顆粒的新固態硬碟。
此外，東芝還在使用這種第二代19nm工藝研發3bpc TLC NAND快閃記憶體，預計本季度內就會批量投產。
通過新開發的eMMC相容控制器，這種快閃記憶體將首先用於智慧手機、平板機，然後再開發相應的固態硬碟控制器，延伸到筆記本中。
資料來源~
相比於第一代19nm，新工藝將快閃記憶體單元的尺寸從19×26nm縮小到19×19.5nm，節約了整整25％的內核面積，從而可以實現更大容量或者更小面積的顆粒。東芝稱，新的MLC 64Gb快閃記憶體顆粒面積僅有區區94平方毫米，是世界上最小的。
加上獨有的變成演算法、多級資料存儲管理機制，新的快閃記憶體在性能、可靠性、成本上同樣有很好的保障。再輔以獨特的高速寫入方法，東芝宣稱其寫入速度最高可達25MB/s，同樣是MLC NAND快閃記憶體中最快的。
SanDisk預計很快就會發佈使用這種新顆粒的新固態硬碟。
此外，東芝還在使用這種第二代19nm工藝研發3bpc TLC NAND快閃記憶體，預計本季度內就會批量投產。
通過新開發的eMMC相容控制器，這種快閃記憶體將首先用於智慧手機、平板機，然後再開發相應的固態硬碟控制器，延伸到筆記本中。
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