[問題]有關記憶體最佳化

[1253738091]

常常會看到站上的大大們會說記憶體最佳化
但是對這個名詞並不是非常了解
能請大大說明一下嗎???
另外.....
有沒有有關記憶體最佳化比較詳盡的文章
請大大告知小弟
感謝 :D :D

 

[linny]

(轉貼) 好像是狂少文章...不然就是某一位大大的!! 還是QK啊？？
ＰＳ小弟在此強調．．（轉貼）
　
弟不愛吊書包跟各位大大賣關子,在此以簡潔明白的略為發表淺見~
首先讓大大們複習一下粗略的BIOS中"時序設定'(Memory Timing Setting)
DRAM(DRAM Prechareg):這一個選項是指DRAM的預先充電,是指針對記憶體的預先充電時間設定,
記憶體多為動態隨機存取的記憶方式(也就是把總電源OFF了以後記憶體的記憶檔案也隨之消失)
必須靠著持續的充電才能保住資料,設定從5到8個週期能調整,越低的設定充電的速度越快效能也相對提高!

RAS(P R S Precharge)列:記憶體的資料傳輸都是由"列"RAS開始,所以RAS的充電時間很重要,
這一個項目是設定RAS"列"的充電間隔時間,設定有由2到4個週期(Cycle),越低的設定整體效能越強 !

CAS latency(column address strobe)欄:CAS latency就是各位常常見到的CL值
亦稱記憶體等待延遲時間,設定週期由2到3(有的更狠~CL1.5的)設定值越小,
CPU存取記憶體資料的時間越短整體效能自然提高,不過越小的CL值需要優良的記憶體顆粒
與模組製造商嚴謹的電路設計來搭配 !

RAS to CAS:這裡指的是由"列"RAS到"欄"CAS中間的等待存取時間,由於記憶體的存取順序
都是先從"列"位址先開始其後才到"欄"位址,因此這中間的等待時間設定有2到4,
越低的等待存取時間設定效能越好!(目前這一項能設定2而且穩超的,只有bh-5的顆粒)

時至今日的記憶體製造技術已達500MHz的運作時脈(顯卡更猛有850MHz的,DDRll也在後虎視眈眈!)
雖然DDR500還未經官方 JEDEC(Joint Electron Device Engineering Council)的嚴格測試與背書,
但已然悄悄上市...這會對DDR400產生市場與效能的衝擊嗎?
小弟認為雖然DDR500比DDR400多了100MHz的運作時脈,但這100MHz是否意味著能讓記憶體運作快上0.01奈秒(NS)
整體效能往上直升嗎?答案似乎是否定的,
DDR500的預設電壓要比DDR400多了0.1,卻無法像DDR400只要2.55V的電壓就能達到5 2 2 2最佳化,
DDR500最多只能8 3 3 2.5最佳化的設定!

有人常在版上問:8 4 4 2.5 By SPD 與 5 2 2 2 的效能會有差嗎?小弟認為差天跟地嘍~

記憶體的充電時間與存取時間"如果能"最佳化至 5 2 2 2 的話,記憶體的運作最少能讓CPU等待記憶體
存取時間最少少快要1ns,而DDR500多了100MHz 8 3 3 2.5 能讓CPU少等1秒嗎?以多100MHz來講似乎還不大可能,
除非記憶體時脈能衝到800MHz以上!
因此在市面上所販賣的各廠各平台主機板在還未正式宣佈進入DDR500的時候,
小弟建議現在還不是買DDR500的時候,一方面是實際效能比不上BH-5 DDR400的顆粒,
另一方面是小弟觀察DDR500只是過渡時期的產品(因為主機板大廠及晶片組都未名正言順的宣佈支援DDR500),
根據小弟多年來自身經驗來觀察DDRll才將會是下一代正宗記憶體規格的主流!!
要買記憶體嗎??DDR400還是目前最具C/P值的選擇!
(當然是BH-5的顆粒啦!,DDR500只能讓您趕上時代的尖端卻超不出極致效能!)

 

[kjzz]

上面那篇好像是QK4723寫的 :star:

 

[1253738091]

感謝大大的回應
收起來先....

 

[junm]

Originally posted by linny@Aug 8 2004, 02:14 AM
(轉貼) 好像是狂少文章...不然就是某一位大大的!! 還是QK啊？？
ＰＳ小弟在此強調．．（轉貼）
　
弟不愛吊書包跟各位大大賣關子,在此以簡潔明白的略為發表淺見~
首先讓大大們複習一下粗略的BIOS中"時序設定'(Memory Timing Setting)
DRAM(DRAM Prechareg):這一個選項是指DRAM的預先充電,是指針對記憶體的預先充電時間設定,
記憶體多為動態隨機存取的記憶方式(也就是把總電源OFF了以後記憶體的記憶檔案也隨之消失)
必須靠著持續的充電才能保住資料,設定從5到8個週期能調整,越低的設定充電的速度越快效能也相對提高!

RAS(P R S Precharge)列:記憶體的資料傳輸都是由"列"RAS開始,所以RAS的充電時間很重要,
這一個項目是設定RAS"列"的充電間隔時間,設定有由2到4個週期(Cycle),越低的設定整體效能越強 !

CAS latency(column address strobe)欄:CAS latency就是各位常常見到的CL值
亦稱記憶體等待延遲時間,設定週期由2到3(有的更狠~CL1.5的)設定值越小,
CPU存取記憶體資料的時間越短整體效能自然提高,不過越小的CL值需要優良的記憶體顆粒
與模組製造商嚴謹的電路設計來搭配 !

RAS to CAS:這裡指的是由"列"RAS到"欄"CAS中間的等待存取時間,由於記憶體的存取順序
都是先從"列"位址先開始其後才到"欄"位址,因此這中間的等待時間設定有2到4,
越低的等待存取時間設定效能越好!(目前這一項能設定2而且穩超的,只有bh-5的顆粒)

時至今日的記憶體製造技術已達500MHz的運作時脈(顯卡更猛有850MHz的,DDRll也在後虎視眈眈!)
雖然DDR500還未經官方 JEDEC(Joint Electron Device Engineering Council)的嚴格測試與背書,
但已然悄悄上市...這會對DDR400產生市場與效能的衝擊嗎?
小弟認為雖然DDR500比DDR400多了100MHz的運作時脈,但這100MHz是否意味著能讓記憶體運作快上0.01奈秒(NS)
整體效能往上直升嗎?答案似乎是否定的,
DDR500的預設電壓要比DDR400多了0.1,卻無法像DDR400只要2.55V的電壓就能達到5 2 2 2最佳化,
DDR500最多只能8 3 3 2.5最佳化的設定!

有人常在版上問:8 4 4 2.5 By SPD 與 5 2 2 2 的效能會有差嗎?小弟認為差天跟地嘍~

記憶體的充電時間與存取時間"如果能"最佳化至 5 2 2 2 的話,記憶體的運作最少能讓CPU等待記憶體
存取時間最少少快要1ns,而DDR500多了100MHz 8 3 3 2.5 能讓CPU少等1秒嗎?以多100MHz來講似乎還不大可能,
除非記憶體時脈能衝到800MHz以上!
因此在市面上所販賣的各廠各平台主機板在還未正式宣佈進入DDR500的時候,
小弟建議現在還不是買DDR500的時候,一方面是實際效能比不上BH-5 DDR400的顆粒,
另一方面是小弟觀察DDR500只是過渡時期的產品(因為主機板大廠及晶片組都未名正言順的宣佈支援DDR500),
根據小弟多年來自身經驗來觀察DDRll才將會是下一代正宗記憶體規格的主流!!
要買記憶體嗎??DDR400還是目前最具C/P值的選擇!
(當然是BH-5的顆粒啦!,DDR500只能讓您趕上時代的尖端卻超不出極致效能!)

穫益良多

感謝您

 

[oopsx2929]

+1

 

[我愛電腦]

這篇寫的真好~ :lol:
再推一次~

 

[lucky4283]

感謝大大分享 又多學到東西囉^^