Originally posted by jms7275+Apr 30 2004, 12:22 AM--></div><table border='0' align='center' width='95%' cellpadding='3' cellspacing='1'><tr><td>QUOTE (jms7275 @ Apr 30 2004, 12:22 AM)</td></tr><tr><td id='QUOTE'>
Originally posted by andyaries@Apr 30 2004, 12:18 AM
<!--QuoteBegin-jms7275
@Apr 30 2004, 12:09 AM
友站看到的建議值
調整適當的驅動能力強度值,可增加記憶體的相容性及穩定度。
圖有看沒有懂...可以有人再出來講解一下嗎??? :??:
若插一支單面記憶體,所使用bank為1個,則p=+2,n=+1
若插一支雙面記憶體,所使用bank為2個,則p=+2,n=+1
若插二支單面記憶體,所使用bank為2個,則p=+2,n=+1
若插二支,一支單面,一支雙面記憶體,所使用bank為3個,則p=+3,n=+2
若插二支,皆為雙面記憶體,所使用bank為4個,則p=+3,n=+2
以卡此類推
可針酌增加,提高穩定度,如本人插二支雙面512m共1g的記憶體,我是設為
p=+5,n=+4,之所以要比建議值更高2的原因為下:
1.超規格使用,原廠ddr400,cl=2.5,8-3-3,本人設為cl=2,6-2-3
2.不想對記憶體加壓,若記憶加到2.7v(現為2.6v)一樣能依上述自行設的參數跑
3.一般使用上若依建議值也不會有問題(pi32m,prime24 hours皆可過),而我自行測試時loading特重,測試方式是同時間做avi轉檔,二台電腦間傳極大檔案(如5g以上),燒錄及掛網瀏覽,皆要能穩定運行
4.如此,因記憶體容量己達1g,又要多工時能穩定,所以才會比建議值多加2了
5.以上是我個人的經驗,請自行參酌個人狀況來調整,最重要的是實測為準
又,依建議值來看PMOS=NMOS+1,即PMOS最好皆以比NMOS+1的比例搭配來調整
,本人皆以此原則來調整的,至於未依此原則來調整會發生什麼事,本人未曾嘗試,故恕無法回答,且也不建議輕試
友站andnew網友的解說
http://www.ocfiles.com.tw/default.asp?forum=1134 [/b][/quote]
不好意思喔
在LP-B上面並沒有看見有p,n及+幾的選項耶
參數只有1~15可選
有產生選項的有Drive Strength , 還有一個什麼slow的忘了
所以...唉...