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SK Hynix今日宣佈他們已用20nm工藝開發出了6Gb LPDDR3記憶體,2014年早些時候量產,看來明年的Android高端手機妥妥的都要上3GB記憶體了。
三星Galaxy Note 3是首款配備3GB記憶體的智慧手機,這是因為三星有能力生產6Gb的LPDDR3記憶體,其他手機廠商要想用上3GB記憶體就得三星滿足自己需求之後,或者尋求其他廠商。還好,SK Hynix今日宣佈他們已用20nm工藝開發出了6Gb LPDDR3記憶體,2014年早些時候量產,看來明年的Android高端手機妥妥的都要上3GB記憶體了。
相比目前的4Gb記憶體,SK Hynix的6Gb LPDDR3記憶體可節能30%,單封裝即可實現3GB(24Gb)配置。此外,其速率達到了1866Mbps,32bit位寬,單通道頻寬可達7.4GB/s,雙通道可達14.8GB/s,同時還支持PoP(Package on Package,記憶體可與處理器封裝在一起)封裝。
SK Hynix在今年6月份曾經試產了全球首款8Gb LPDDR3記憶體,現在看起來還是會首先量產6Gb LPDDR3記憶體,該公司認為明年上半年開始到2015年,3GB記憶體都將是高端手機的主要配置。
SK Hynix預計在明年初開始量產6Gb LPDDR3記憶體。目前除了三星Galaxy Note 3使用了3GB記憶體之外,今年底將要發佈的一些手機也會使用3GB記憶體,國產新機中步步高的Xplay 3S也會是3GB記憶體。
資料來源
三星Galaxy Note 3是首款配備3GB記憶體的智慧手機,這是因為三星有能力生產6Gb的LPDDR3記憶體,其他手機廠商要想用上3GB記憶體就得三星滿足自己需求之後,或者尋求其他廠商。還好,SK Hynix今日宣佈他們已用20nm工藝開發出了6Gb LPDDR3記憶體,2014年早些時候量產,看來明年的Android高端手機妥妥的都要上3GB記憶體了。
相比目前的4Gb記憶體,SK Hynix的6Gb LPDDR3記憶體可節能30%,單封裝即可實現3GB(24Gb)配置。此外,其速率達到了1866Mbps,32bit位寬,單通道頻寬可達7.4GB/s,雙通道可達14.8GB/s,同時還支持PoP(Package on Package,記憶體可與處理器封裝在一起)封裝。
SK Hynix在今年6月份曾經試產了全球首款8Gb LPDDR3記憶體,現在看起來還是會首先量產6Gb LPDDR3記憶體,該公司認為明年上半年開始到2015年,3GB記憶體都將是高端手機的主要配置。
SK Hynix預計在明年初開始量產6Gb LPDDR3記憶體。目前除了三星Galaxy Note 3使用了3GB記憶體之外,今年底將要發佈的一些手機也會使用3GB記憶體,國產新機中步步高的Xplay 3S也會是3GB記憶體。
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