電子科技 三星宣佈量產全球首個3D垂直快閃記憶體V-NAND

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三星電子在存儲技術上的領先的確無可匹敵,今天又宣佈已經批量投產全球第一個採用3D垂直設計的NAND快閃記憶體“V-NAND”。這年頭,3D堆疊已經成了潮流,處理器、記憶體什麼的都要堆起來。


三星的V-NAND單顆晶片容量128Gb(16GB),內部採用三星獨有的垂直單元結構,通過3D CTF電荷捕型獲快閃記憶體技術、垂直互連工藝技術來連接3D單元陣列。

三星稱,這種新快閃記憶體的拓展能力是普通2xnm平面型快閃記憶體的兩倍以上,可靠性提升最少2倍、最多10倍,而且寫入性能也可達到1xnm NAND快閃記憶體的兩倍。Tb(128GB)級別的快閃記憶體晶片指日可待。


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早在2006年,三星就研發了CTF技術。在這種結構的NAND快閃記憶體中,電荷被臨時存放在氮化矽(SiN)材料製成的非導電層上,而不是用浮動柵極阻斷相鄰單元的干擾。現在,三星又成功把這種結構推向了三維層面。

此外,三星自己研發的垂直互連工藝可以將最多24個單元層堆疊在一起,並且使用特殊的蝕刻技術從最高層到最底層打孔,實現各個層的電子互連。

三星還驕傲地披露,經過十多年的研發,他們已經在3D存儲技術上擁有300多項專利。

三星的V-NAND快閃記憶體廣泛適用於消費電子和企業級應用,包括嵌入式NAND存儲、固態硬碟。

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資料來源~
 

wdcj

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不愧是記憶體的王者。。。
 

華義

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"他們已經在3D存儲技術上擁有300多項專利"

就是把路堵死
不讓別人有機可乘
 

arthur0905

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"他們已經在3D存儲技術上擁有300多項專利"

就是把路堵死
不讓別人有機可乘
看來3D之路已經漸漸成了一條天堂路
要過天堂路沒有陸戰隊的体魄完全是不行;ng;
這樣的專利,這樣的門檻,完全讓人有提不起興緻一玩的嘆息;x;
 

Happypc

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看來3D之路已經漸漸成了一條天堂路
要過天堂路沒有陸戰隊的体魄完全是不行;ng;
這樣的專利,這樣的門檻,完全讓人有提不起興緻一玩的嘆息;x;

真的要有體魄!!!
體:資金
魄:勇氣
 

hungkuochih

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如果AMD的CPU也來一下3D推疊,應該會更好喔!!
 

arthur0905

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如果AMD的CPU也來一下3D推疊,應該會更好喔!!

這項技術專利權應該被INTEL捷足先登了;x;
我想INTEL應該也不會同意的
無論是收多少權利金都不會,也不能同意;ng;
 

saki咲夜

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竟然3D都被搶了
開始研發4D吧(不對XD
 

authenticamd

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台灣喊了那麼久的3D,怎麼又輸給寒狗了呢?
 
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