Intel、三星今年的主流製程是14nm FinFET，TSMC下半年也會量產16nm FinFET，而且他們在下下一代的10nm製程上追得很緊，預計2017年就會量產。現在Intel倒是不著急了，而且10nm的製造設備安裝時間還遲推了，儘管Intel在不同場合一直宣傳未來的10nm甚至7nm在提升晶體管密度、降低成本上做的多麼好，但是Intel自己並不急於下手，畢竟新製程的初期投資成本還是太高。
如果按照最初的規劃，Intel應該在今明兩年就會進入10nm節點了，但14nm去年有過一次延期，而Inte原本準備在今年3月份開始在以色列的晶圓廠安裝10nm製造設備，但現在設備安裝計劃已經遲推到12月份。
更先進的製程意味著更高的晶體管密度，這將帶來更高的性能、更低的成本，但先進製程的投資也達到十多億甚至幾十億美元，前期的資本投資會是個沉重的負擔。在昨天的財報會議上，Intle高管表示“通過14nm、10nm以及對7nm的早期研究，晶體管密度提升（帶來的優勢）將抵消每平方英寸晶圓的資本投資影響。”
CEO Krzanich 也說10nm下晶圓的資本投入成本會提升，但不如晶體管密度提升的那麼多。但是Intel公司拒絕回應10nm製程的預期時間，以及10nm製造設備推遲安裝的報導，只表示10nm是未來的事，一切正在按計劃進行。
來源：http://www.expreview.com/39979.html
如果按照最初的規劃，Intel應該在今明兩年就會進入10nm節點了，但14nm去年有過一次延期，而Inte原本準備在今年3月份開始在以色列的晶圓廠安裝10nm製造設備，但現在設備安裝計劃已經遲推到12月份。
更先進的製程意味著更高的晶體管密度，這將帶來更高的性能、更低的成本，但先進製程的投資也達到十多億甚至幾十億美元，前期的資本投資會是個沉重的負擔。在昨天的財報會議上，Intle高管表示“通過14nm、10nm以及對7nm的早期研究，晶體管密度提升（帶來的優勢）將抵消每平方英寸晶圓的資本投資影響。”
CEO Krzanich 也說10nm下晶圓的資本投入成本會提升，但不如晶體管密度提升的那麼多。但是Intel公司拒絕回應10nm製程的預期時間，以及10nm製造設備推遲安裝的報導，只表示10nm是未來的事，一切正在按計劃進行。
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