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  1. I

    RAM OC: 高頻率高CL VS. 低頻率低CL

    拙者試超兩條金士頓的DDR3 1333 (9-9-9-24), 結果在預設電壓(1.5V),system memory multiplier (X10)下, 能跑155mhz *10 = 1550mhz; 延遲值限界為7-9-6-21; (memtest 500% pass) 而將system memory multiplier改為X12的話, 能跑155mhz *12 = 1860mhz; 延遲值限界為8-10-7-24; (同樣memtest 500% pass) Google找到的大多說是高頻率比低CL效能提升更大,現在的場合是不是也這樣?
  2. I

    [超頻新米]省電與OC(speedstep,turbo boost)

    已經試了,只能跑159,不能再上,Turbo Boost 4核跑22x倍頻時才3498mhz,IBT攝氏88度(現在室温才20多...熱的時候恐怕會上90度) OTL 現在正試記憶體的延遲值.........同樣是不加電壓,能快多少是多少:PPP:
  3. I

    [超頻新米]省電與OC(speedstep,turbo boost)

    最初是看上Maximus Ⅲ Gene的,但包括它在內,找不到一塊有USB3的P55,別給偶說加一張USB3的PCI-e的卡就解決,mATX主板包括PCI在内,就4條擴充糟,5770吃了2條,而鄰接的PCI糟也因為會阻擋5770進風口也不能用,餘下的一條PCI-E也用來放USB3擴充卡的話,將來擴充的餘地就是0了orz
  4. I

    [超頻新米]省電與OC(speedstep,turbo boost)

    首先說明,拙者從沒CPU超頻經驗,算是爬了一下文,但因為目的太過另類,找不到適合的教學,只好求教各位大大, 超頻要求: 1. 不加核心電壓(偶知道要很困難,但環境所限,不想温度大升); 2. OC後平時可以照樣用speedstep跑低速保持低温(看拙者的散熱裝置就明白...) 3. 超不成也沒關係,安全第一,穩定至上(你還超頻幹啥), 完事後必須通過IBT慢烤... 環境: -沒泠氣,夏天温度可以達到攝氏36度以上, -塵略多(清潔後沒一周又看到堆到看到的程度...) -濕度偏低,基本上沒氧化問題 系統 CPU...