目前 HBM 記憶體只有 SK Hynix 量產了，不過 Samsung 緊追在後，
預計明年也會開始量產HBM記憶體，不僅可以用於顯卡、HPC，還會應用於其他市場。
此外，目前 DDR4 記憶體已經走向正軌，不過 Samsung 已經開始討論後 DDR4 時代，
過幾年就會有DDR5記憶體，頻寬將會是DDR4翻倍。
作為合作廠商之一，Samsung 也在 Intel 的 IDF 會議上展示了新一代記憶體技術的發展情況。
根據德國 Computerbase 網站的報導，Samsung明年初將會量產 HBM ，
不僅會用於顯卡、HPC，未來還會用於網絡及其他市場。
值得注意的是，Samsung的起點非常高，HBM顆粒的容量是8Gb起（這更像是HBM2的水平了），
還會有2H（雙層堆棧）、4H（4層堆棧）、8H（8層堆棧）三種級別，
不同的晶片可以搭配單顆、2顆、4顆及6顆HBM晶片，因此最大容量可達48GB，帶寬超過1.5TB/s。
要通過TSV製程才能實現與晶片集成
存儲系統不同的需求配置
大容量非易失性存儲技術的需求
此外，Intel、美光聯合開發的 3D XPoint 技術已經在 NVDIMM 非易失性記憶體上邁出了一步，
Samsung目前還沒有與之競爭的產品，不過Samsung顯然也在開發類似的技術，
可能的選擇有STT -MRAM（自旋磁阻隨機存儲器）、PRAM、Re-RAM等等。
新一代非易失性記憶體技術
Samsung開始討論後DDR4內存時代了
最後Samsung還提到了後DDR4時代，目前DDR4記憶體已經開始走上正軌，
雖然還沒有完全取代DDR3，但這是遲早的事了，下一代的記憶體很可能叫做DDR5，已經準備開跑了。
根據Samsung的描述，目前的DDR4記憶體頻率在1.6-3.2 Gbps之間，每通道頻寬約為25.6GB/s，
DDR5記憶體頻率則會達到6.4Gbps左右，每通道頻寬提升到51.2GB/s，
同時核心容量8-32Gb，使用10nm以下的製程製造。
DDR5記憶體目前還只是概念階段，接口及架構什麼的其實都沒定案，
Samsung預計2018年左右會製造出來原型，2019年可能會形成技術標準，2025年走向主流。
（其實還有蠻長一段路）
來源：
http://www.computerbase.de/2015-08/idf-2015-samsung-fertigt-high-bandwidth-memory-ab-2016/
http://www.expreview.com/42541.html
預計明年也會開始量產HBM記憶體，不僅可以用於顯卡、HPC，還會應用於其他市場。
此外，目前 DDR4 記憶體已經走向正軌，不過 Samsung 已經開始討論後 DDR4 時代，
過幾年就會有DDR5記憶體，頻寬將會是DDR4翻倍。
作為合作廠商之一，Samsung 也在 Intel 的 IDF 會議上展示了新一代記憶體技術的發展情況。
根據德國 Computerbase 網站的報導，Samsung明年初將會量產 HBM ，
不僅會用於顯卡、HPC，未來還會用於網絡及其他市場。
值得注意的是，Samsung的起點非常高，HBM顆粒的容量是8Gb起（這更像是HBM2的水平了），
還會有2H（雙層堆棧）、4H（4層堆棧）、8H（8層堆棧）三種級別，
不同的晶片可以搭配單顆、2顆、4顆及6顆HBM晶片，因此最大容量可達48GB，帶寬超過1.5TB/s。
要通過TSV製程才能實現與晶片集成
存儲系統不同的需求配置
大容量非易失性存儲技術的需求
此外，Intel、美光聯合開發的 3D XPoint 技術已經在 NVDIMM 非易失性記憶體上邁出了一步，
Samsung目前還沒有與之競爭的產品，不過Samsung顯然也在開發類似的技術，
可能的選擇有STT -MRAM（自旋磁阻隨機存儲器）、PRAM、Re-RAM等等。
新一代非易失性記憶體技術
Samsung開始討論後DDR4內存時代了
最後Samsung還提到了後DDR4時代，目前DDR4記憶體已經開始走上正軌，
雖然還沒有完全取代DDR3，但這是遲早的事了，下一代的記憶體很可能叫做DDR5，已經準備開跑了。
根據Samsung的描述，目前的DDR4記憶體頻率在1.6-3.2 Gbps之間，每通道頻寬約為25.6GB/s，
DDR5記憶體頻率則會達到6.4Gbps左右，每通道頻寬提升到51.2GB/s，
同時核心容量8-32Gb，使用10nm以下的製程製造。
DDR5記憶體目前還只是概念階段，接口及架構什麼的其實都沒定案，
Samsung預計2018年左右會製造出來原型，2019年可能會形成技術標準，2025年走向主流。
（其實還有蠻長一段路）
來源：
http://www.computerbase.de/2015-08/idf-2015-samsung-fertigt-high-bandwidth-memory-ab-2016/
http://www.expreview.com/42541.html
