記憶體 SK Hynix 宣布 HBM2E DRAM 量產, 等效速度3.6Gbps

去年 Samsung 和 SK Hynix 都宣布自己開發出了 HBM2 記憶體的小幅升級版本,即 HBM2E 記憶體,今天 SK Hynix 終於正式宣布他們開始量產 HBM2E 記憶體。



SK Hynix 的 HBM2E 記憶體具有3.6Gbps的等效速度,配合上1024bit的頻寬,它能夠實現超過460GB/s(3.6Gbps x 1024-bit / 8 = 460.8GB/s)的傳輸帶寬。如果像是 NVIDIA A100 加速卡使用六個堆疊的話,那麼這組 HBM2E 記憶體能夠提供高達2.7TB/s的帶寬。SK Hynix 的 HBM2E 每組堆疊可達到16GB的容量,每顆 DRAM 晶片的容量較 HBM2 時代翻倍。

對於市場來說,現在有第二家能夠提供 HBM2E 記憶體的廠商了,有競爭才有降價,HBM 記憶體本來就很貴了,現階段也只有專業領域較為適合。此前只有 Samsung 一家能夠提供 HBM2E 記憶體,而 HBM2 時代是有兩家。目前美光也已經計劃進入 HBM2 的市場,稱將在年內推出 HBM2 記憶體。未來在專業領域中,HBM 佔有相當地位,高傳輸速度對於 AI 加速器、深度學習等領域中都是不可或缺的。






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