Samsung 最近宣布開始量產4GB第二代 HBM 堆棧式記憶體(HBM2),
容量從第一代的1GB提升到了4GB,頻寬也翻倍到256GB/s,
今年 AMD、NVIDIA 的旗艦顯卡都會用得上。
Samsung 去年10月份率先推出了3D TSV,矽穿孔的128GB DDR4 RDIMM,
現在的 HBM2 同樣使用了 TSV 製程,但要比之前的 DDR4 更複雜。
從 Samsung 公佈的架構圖來看,HBM2 記憶體是 4-Hi 堆棧,
也就是每個 HBM 上堆棧了4層核心,每個容量8Gb,總容量4GB。
由於每層核心之間都要通過 TSV 打孔連接,所以單個 8Gb HBM2 核心上打了5000個孔,
是 8Gb DDR4 晶片的36倍多,這樣可以大大提升數據傳輸性能。
HBM 與 HBM2 的差別,除了容量更高之外,HBM2 的速度也從等效1Gbps提升到了2Gbps,
因此頻寬從之前的128GB/s翻倍到了256GB/s,目前4Gb GDDR5顆粒的頻寬是36GB/s,HBM2 則有7倍之多。
另外 Samsung 表示 4GB HBM2 的每瓦特帶寬是 4Gb GDDR5 的兩倍,而且還支持ECC校驗功能。
4GB HBM2 只是 Samsung 的第一步,今年內還會推出8GB容量的版本,屆時應該會使用8-Hi堆棧了。
Samsung 表示 8GB HBM2 顆粒相比傳統記憶體最多可以節省95%的PCB面積。
來源:http://www.expreview.com/45226.html
容量從第一代的1GB提升到了4GB,頻寬也翻倍到256GB/s,
今年 AMD、NVIDIA 的旗艦顯卡都會用得上。
Samsung 去年10月份率先推出了3D TSV,矽穿孔的128GB DDR4 RDIMM,
現在的 HBM2 同樣使用了 TSV 製程,但要比之前的 DDR4 更複雜。
從 Samsung 公佈的架構圖來看,HBM2 記憶體是 4-Hi 堆棧,
也就是每個 HBM 上堆棧了4層核心,每個容量8Gb,總容量4GB。
由於每層核心之間都要通過 TSV 打孔連接,所以單個 8Gb HBM2 核心上打了5000個孔,
是 8Gb DDR4 晶片的36倍多,這樣可以大大提升數據傳輸性能。
HBM 與 HBM2 的差別,除了容量更高之外,HBM2 的速度也從等效1Gbps提升到了2Gbps,
因此頻寬從之前的128GB/s翻倍到了256GB/s,目前4Gb GDDR5顆粒的頻寬是36GB/s,HBM2 則有7倍之多。
另外 Samsung 表示 4GB HBM2 的每瓦特帶寬是 4Gb GDDR5 的兩倍,而且還支持ECC校驗功能。
4GB HBM2 只是 Samsung 的第一步,今年內還會推出8GB容量的版本,屆時應該會使用8-Hi堆棧了。
Samsung 表示 8GB HBM2 顆粒相比傳統記憶體最多可以節省95%的PCB面積。
來源:http://www.expreview.com/45226.html