電子科技 Intel 開發新的 MESO 取代 CMOS, 降10~30倍功耗

本帖由 soothepain2018-12-05 ,10:25 發佈。版面名稱:新品資訊

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By soothepain on 2018-12-05 ,10:25
  1. soothepain

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    現有的 CMOS 半導體製程正在逼近物理極限,提高性能、降低功耗都不容易。未來十年的計算時代中,CMOS 製程很有可能就被新技術取代了,Intel 日前聯合加州大學伯克利分校的研究人員開發了一種新的 MESO(磁電自旋軌道)邏輯器件,這種常溫量子材質製造的設備可以將晶片工作電壓從3V減少到500mv,減少5倍,能耗降低10-30倍,而且運行速度也是 CMOS 製程的5倍。

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    這項技術是 Intel 、加州大學伯克利分校合作的,論文已經發表在了12月3日的《自然》雜誌上,它所用的 MESO 是一種鉍、鐵和氧(BiFeO 3)組成的多鐵材料,這種材料既有鐵磁性又有鐵電性,而且兩種狀態又有耦合性,改變一種就會影響另一種,操作電場就能改變磁場,這對研發 MESO 設備很有用。

    這種材料最早是伯克利分校材料科學與工程和物理學教授Ramamoorthy Ramesh於2001年發現的,他也是這篇論文的高級作者,而 MESO 設備則是 Intel MESO 項目硬體小組主管Sasikanth Manipatruni發明的,現在這個突破也是他們合作研究出來的。

    根據伯克利發布的新聞,MESO 邏輯器件的開關電壓可以從3V降低到500mv,並預測可以降低到100mv,是目前 CMOS 晶體管所需開關電壓的1/5到1/10,從1到0的切換能量僅為 CMOS 製程的1/10到1/30。除了能耗上的優勢,MESO 邏輯器件的運算速度也比 CMOS 製程高出5倍。

    簡單來說就是 Intel 及伯克利大學合作的 MESO 邏輯器件為替代目前以晶體管為基礎的 CMOS 製程鋪平了道路,新的 MESO 邏輯器件在性能及能耗上有極其明顯的優勢。當然了,這種新技術還在研發中,Intel 提到他們的目標是在未來十年中超越 CMOS 時代。








    來源:http://www.expreview.com/65639.html
     

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