Gigabyte上週在HKEPC Techday大會上,Gigabyte Product Manager -- Rockson Chiang透露了有關未來i-RAM的發展,由於2006年DDR2記憶體將會大幅普及,因此i-RAM會推出第二代的DDR2版本,捨棄了PCI卡的設計,新一代i-RAM將會改用5.25吋Drive Bay,而且更會由最高接口四支DIMM,升提至支援八支DIMM,最高容量提升至16GB,同時備用電池時間亦有所增加。
此外,傳輸接口速度亦大幅提升,由上代只支援SATA 1.5Gb/s,提升至SATA 3.0Gb/s,由於i-RAM的記憶體速度甚高,因此將可完全利用3.0Gb/s頻寬優勢,預計在2006年中旬推出,令人期待。
此外,傳輸接口速度亦大幅提升,由上代只支援SATA 1.5Gb/s,提升至SATA 3.0Gb/s,由於i-RAM的記憶體速度甚高,因此將可完全利用3.0Gb/s頻寬優勢,預計在2006年中旬推出,令人期待。