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全球第一大DRAM製造商三星電子（Samsung Electronics）原預期在2006年第二季初，80奈米製程產品應開始小量供貨，但為了避免旺季來臨時，因80奈米製程轉換遇到瓶頸而喪失市場，三星臨時更換投片策略，將先行挪出8吋廠產能採用0.11微米製程來接棒，待需求轉弱時再投入80奈米製程量產；目前初步估計最快也要等到2007年第一季左右，80奈米製程才有產品產出，但可預期的是，全球DRAM市場將因三星的錯估製程轉換順暢度而大受影響。
據了解，三星電子轉進90奈米製程時間已幾乎長達1～2年，且製造良率相當穩定，因此認為要挺進80奈米製程並非難事，原本估計2006年4月就會有比90奈米的C代產品更進一階段，採用80奈米所製造的D代產品出現；不過，由於80奈米並非如當初想像容易，導致4月起迄今僅能採90奈米製程投產DRAM。
但正因80奈米出現瓶頸，因此導致這部份原本所估算新增產能，到現在遲遲無法開出，才會造成全球DRAM市場供貨持續處於吃緊狀態，而面對一連串市場需求旺季，三星立即做出決定，將改由8吋廠重擔重任，先用舊的0.11微米製程於8吋廠投產，而所生產商品則先稱之為D代商品，而接下來到80奈米時所生產商品，才會稱之為E代DRAM產品。
三星當前雖有12吋晶圓廠，且也均已營運相當長一段時間，照理來說如將0.11微米製程用在12吋廠應無太大問題，但由於當下12吋廠大多已轉近90奈米製程，且更重要的在於12吋廠對於三星來說大多需生產較高容量的DRAM或NAND Flash商品，在此之際三星根本無多餘12吋廠產能可用於投產80奈米，因而才會選擇採用0.11微米製程投入8吋廠量產標準型DRAM，不過眾所皆知這應僅是在此趕工時間點的權宜之計。
DRAM廠指出，就連全球製程可說是領先群雄的三星，到了80奈米製程似乎也有些許困難，也難怪其餘DRAM廠在當下無論是溝槽式（Trench）或堆疊式（Stack）的DRAM廠，在由90奈米製程進入到70奈米製程時，也均遇上同樣問題，造成近來全球DRAM市場供貨會如此吃緊。
http://www.digitimes.com.tw/
什麼都漲...
據了解，三星電子轉進90奈米製程時間已幾乎長達1～2年，且製造良率相當穩定，因此認為要挺進80奈米製程並非難事，原本估計2006年4月就會有比90奈米的C代產品更進一階段，採用80奈米所製造的D代產品出現；不過，由於80奈米並非如當初想像容易，導致4月起迄今僅能採90奈米製程投產DRAM。
但正因80奈米出現瓶頸，因此導致這部份原本所估算新增產能，到現在遲遲無法開出，才會造成全球DRAM市場供貨持續處於吃緊狀態，而面對一連串市場需求旺季，三星立即做出決定，將改由8吋廠重擔重任，先用舊的0.11微米製程於8吋廠投產，而所生產商品則先稱之為D代商品，而接下來到80奈米時所生產商品，才會稱之為E代DRAM產品。
三星當前雖有12吋晶圓廠，且也均已營運相當長一段時間，照理來說如將0.11微米製程用在12吋廠應無太大問題，但由於當下12吋廠大多已轉近90奈米製程，且更重要的在於12吋廠對於三星來說大多需生產較高容量的DRAM或NAND Flash商品，在此之際三星根本無多餘12吋廠產能可用於投產80奈米，因而才會選擇採用0.11微米製程投入8吋廠量產標準型DRAM，不過眾所皆知這應僅是在此趕工時間點的權宜之計。
DRAM廠指出，就連全球製程可說是領先群雄的三星，到了80奈米製程似乎也有些許困難，也難怪其餘DRAM廠在當下無論是溝槽式（Trench）或堆疊式（Stack）的DRAM廠，在由90奈米製程進入到70奈米製程時，也均遇上同樣問題，造成近來全球DRAM市場供貨會如此吃緊。
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