全球記憶儲存領導品牌SP廣穎電通推出PCIe Gen 4×4最新極速介面-US70 M.2 2280固態硬碟。US70 M.2 2280固態硬碟，採3D快閃記憶體，搭載NVMe 1.3標準，相容於最新一代符合 PCIe 4.0 標準之主機板，提供超高速傳輸效能，讀寫速度分別最高可達每秒5,000MB及4,400MB，與傳統SATA III SSD相比，速度提升近10倍，並可向下相容PCIe 3.0平台，隨插即用。
US70採M.2主流尺寸，符合M.2 2280(80.0mm × 22.0mm)介面規格的輕巧外觀及無外殼設計，提高產品運用的靈活度，無論是Ultrabook超薄筆電、筆記型電腦或桌上型電腦皆可適用。集驚人高速、優異效能、多重防護於一身，是一款專為電競玩家、超頻高手、影像編輯處理者、設計創作者、與企業用戶等各領域的高階專業人士所打造的顛峰之作！
NVMe 1.3 高效穩定
US70符合NVMe 1.3協議標準，NVMe能帶來更高的性能、更低的延遲、及更低的功耗，徹底展現SSD極致效能。並搭載立體堆疊的3D快閃記憶體，不僅提供1TB及2TB大容量，總寫入資料量（TBW*，Total Bytes Written）也大幅提升，輕鬆滿足各式存儲應用需求。(*1TB版本TBW為1,800TB，2TB版本TBW為3,600TB。)
效能完勝 完整防護
支援 SLC Caching 和 DRAM Cache Buffer，可提高滿意的循序讀寫及隨機讀寫效能。採用LDPC (Low Density Parity Check Code，低密度奇偶檢查碼)錯誤校正機制，可確保資料傳輸的正確性及資料存取的可靠性。具備點對點資料防護(E2E Data Protection)。支援 TRIM指令，使SSD能高效管理可回收利用的空間，大幅降低固態硬碟耗損的情況。並擁S.M.A.R.T.自我監測、分析及回報技術，可隨時監測運作狀態。
擁有平均抹寫儲存區塊(Wear Leveling)技術，能平均每個NAND flash區塊的磨損狀況，避免部分區塊過度使用，因而導致壞損或資料漏失；配置超容量快取(Over-Provision, OP)，額外增加SSD的預留空間，減少NAND Flash的耗損，確保可靠度與穩定性，達產品壽命最佳化。並具故障區塊管理(Bad Block Management；BBM)機制，能偵測並標示NAND Flash中的故障區塊，避免日後資料存入故障區塊中，以降低資料在存取時發生的錯誤；且即使在使用過程中有新區塊在抹寫時發生錯誤，此機制亦可將資料重新移植到其他的有效區塊中，避免因抹寫錯誤而導致的資料流失。
更多產品資訊，請查詢SP廣穎電通官方網站：www.silicon-power.com。
產品特色
產品規格
*備註: 讀寫速度會因系統效能(如硬體、軟體、介面模式等)及容量而有所不同。
US70採M.2主流尺寸，符合M.2 2280(80.0mm × 22.0mm)介面規格的輕巧外觀及無外殼設計，提高產品運用的靈活度，無論是Ultrabook超薄筆電、筆記型電腦或桌上型電腦皆可適用。集驚人高速、優異效能、多重防護於一身，是一款專為電競玩家、超頻高手、影像編輯處理者、設計創作者、與企業用戶等各領域的高階專業人士所打造的顛峰之作！
NVMe 1.3 高效穩定
US70符合NVMe 1.3協議標準，NVMe能帶來更高的性能、更低的延遲、及更低的功耗，徹底展現SSD極致效能。並搭載立體堆疊的3D快閃記憶體，不僅提供1TB及2TB大容量，總寫入資料量（TBW*，Total Bytes Written）也大幅提升，輕鬆滿足各式存儲應用需求。(*1TB版本TBW為1,800TB，2TB版本TBW為3,600TB。)
效能完勝 完整防護
支援 SLC Caching 和 DRAM Cache Buffer，可提高滿意的循序讀寫及隨機讀寫效能。採用LDPC (Low Density Parity Check Code，低密度奇偶檢查碼)錯誤校正機制，可確保資料傳輸的正確性及資料存取的可靠性。具備點對點資料防護(E2E Data Protection)。支援 TRIM指令，使SSD能高效管理可回收利用的空間，大幅降低固態硬碟耗損的情況。並擁S.M.A.R.T.自我監測、分析及回報技術，可隨時監測運作狀態。
擁有平均抹寫儲存區塊(Wear Leveling)技術，能平均每個NAND flash區塊的磨損狀況，避免部分區塊過度使用，因而導致壞損或資料漏失；配置超容量快取(Over-Provision, OP)，額外增加SSD的預留空間，減少NAND Flash的耗損，確保可靠度與穩定性，達產品壽命最佳化。並具故障區塊管理(Bad Block Management；BBM)機制，能偵測並標示NAND Flash中的故障區塊，避免日後資料存入故障區塊中，以降低資料在存取時發生的錯誤；且即使在使用過程中有新區塊在抹寫時發生錯誤，此機制亦可將資料重新移植到其他的有效區塊中，避免因抹寫錯誤而導致的資料流失。
更多產品資訊，請查詢SP廣穎電通官方網站：www.silicon-power.com。
產品特色
- PCIe Gen 4×4最新極速介面，提供高達每秒5,000MB及4,400MB的極致讀寫性能。
- 符合NVMe 1.3協議標準，擁高性能、低延遲、低功耗特性。
- 擁有平均抹寫儲存區塊(Wear Leveling)技術，能平均每個NAND flash區塊的磨損狀況，確保可靠度與穩定性。
- 具故障區塊管理(Bad Block Management, BBM)機制，能偵測並標示NAND Flash中的故障區塊，避免日後資料存入故障區塊中，以降低資料在存取時發生的錯誤。
- 配置超容量快取(Over-Provision, OP)，額外增加SSD的預留空間，以提升效能及耐用性，可減少NAND Flash的耗損，有助延長硬碟壽命。
- 支援 SLC Caching 和DRAM Cache Buffer，可提高滿意的循序讀寫及隨機讀寫效能。
- 具備點對點資料防護(E2E Data Protection)。
- 採用LDPC(Low Density Parity Check Code，低密度奇偶檢查碼)錯誤校正機制，可確保資料傳輸的正確性及資料存取的可靠性。
- 支援 TRIM指令，SSD能高效管理可回收利用的空間，固態硬碟耗損的情況亦大幅減小。
- 擁S.M.A.R.T.自我監測、分析及回報技術，可隨時監測運作狀態。
- 符合M.2 2280介面規格的輕巧外觀及無外殼設計，無論是Ultrabook超薄筆電、筆記型電腦或桌上型電腦皆可適用。
產品規格
- 容量：1TB, 2TB
- 尺寸：22.0 x 80.0 x 3.5mm
- 重量：8g
- 讀取速度(最高): up to 5,000 MB/s*
- 寫入速度(最高): up to 4,400 MB/s*
- 傳輸介面：PCIe Gen 4×4
- MTBF：1,700,000 hours
- 防震: 1500G/0.5ms
- 操作溫度：0℃- 70℃
- 認證：CE/FCC/BSMI/Green dot/WEEE/RoHS/KCC
- 保固：5年
- 系統需求：具備M.2接孔並支援PCIe介面的電腦，以及下列其中之一的作業系統-Windows 8.1、Windows 10
*備註: 讀寫速度會因系統效能(如硬體、軟體、介面模式等)及容量而有所不同。
