SK Hynix 宣布，已成功開發出全球首款採用 1cnm（第六代 10nm 等級）製程的 16Gb DDR5 DRAM，展現了 10nm 出頭的超微細化儲存製程技術。 SK Hynix 將在年內完成 1cnm DDR5 DRAM 的量產準備，從明年開始供應產品，持續引領半導體記憶體市場的發展。
SK Hynix 是在基於目前最高性能的 1β (b) nm（第五代 10nm 級）製程擴展平台上，以最高效的方法開發 1cnm 製程。 SK Hynix 技術團隊認為，由此不僅可以減少製程高度化過程中可能發生的嘗試錯誤，還可以最有效地將業界最高效能 DRAM 轉移到新製程。在這個過程中，SK Hynix 運用了新材料，並針對 EUV 適用製程進行了最佳化，以確保成本競爭力。同時，SK Hynix 在 1cnm 製程上也進行了設計技術革新，與前一代 1β (b) nm 製程相比，生產率提高了 30% 以上。
這次 1cnm DDR5 DRAM 將主要用於高效能資料中心，運作速率為 8Gbps，與前一代相比速度提高了 11%，另外能源效率也提高了 9% 以上。隨著 AI 時代的到來，資料中心的耗電量持續增加，SK Hynix 稱改用 1cnm DDR5 DRAM 後，可以為資料中心節省 30% 以上的電費。
SK Hynix 表示，新的 1cnm 製程技術兼備最高性能與成本競爭力，計劃應用於新一代 HBM、LPDDR6、GDDR7 等最先進 DRAM 主力產品群，由此為客戶提供差別化的價值。
來源
SK Hynix 是在基於目前最高性能的 1β (b) nm（第五代 10nm 級）製程擴展平台上，以最高效的方法開發 1cnm 製程。 SK Hynix 技術團隊認為，由此不僅可以減少製程高度化過程中可能發生的嘗試錯誤，還可以最有效地將業界最高效能 DRAM 轉移到新製程。在這個過程中，SK Hynix 運用了新材料，並針對 EUV 適用製程進行了最佳化，以確保成本競爭力。同時，SK Hynix 在 1cnm 製程上也進行了設計技術革新，與前一代 1β (b) nm 製程相比，生產率提高了 30% 以上。
這次 1cnm DDR5 DRAM 將主要用於高效能資料中心，運作速率為 8Gbps，與前一代相比速度提高了 11%，另外能源效率也提高了 9% 以上。隨著 AI 時代的到來，資料中心的耗電量持續增加，SK Hynix 稱改用 1cnm DDR5 DRAM 後，可以為資料中心節省 30% 以上的電費。
SK Hynix 表示，新的 1cnm 製程技術兼備最高性能與成本競爭力，計劃應用於新一代 HBM、LPDDR6、GDDR7 等最先進 DRAM 主力產品群，由此為客戶提供差別化的價值。
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