SK Hynix 最近在 FMS 2018 會議上宣布了世界首個 4D NAND 技術，這名字聽起來就比現在的 3D NAND 更先進，堆棧層數將達到了96層，有 TLC 與 QLC 類型，核心容量可達1Tb，U.2規格最高可做到64TB容量。
這次的FMS會議上，幾家 NAND 廠商的技術都有個共同點，那就是在繼續提高堆棧層數以增加 NAND 的容量密度，減少外圍電路所佔的比例。SK Hynix 的4D其實也是3D NAND，它是把 NAND 快閃記憶體的 Cell 單元PUC（Peri Under Cell）電路從之前的位置挪到了底部，所以叫了 4D NAND，本質上還是 3D NAND，4D NAND 的命名應該只是為了商業行銷。
SK Hynix 有 TLC 及 QLC 兩種規格，首款產品是512Gb核心的TLC，96層堆棧，I/O接口速度1.2Gbps，移動封裝尺寸為11.5x13mm2，可以取代兩顆256Gb晶片，同時性能相近，這個快閃記憶體預計在今年Q4季度開始出樣。
512Gb核心容量之外，下一步還有1Tb核心容量的TLC，也是94層堆棧，IO速度1.2Gbps，BGA封裝面積16x20mm2，單顆最大容量2TB，U.2規格下SSD最大64TB，這種快閃記憶體預計明年上半年出樣。
除了 TLC 類型還有 QLC，也是96層堆棧，IO速度也有1.2Gbps，核心容量能達到1Tb，SK Hynix 的 QLC 晶圓密度比 TLC 高出20%以上，這種快閃記憶體主要用於取代 HDD，預計明年下半年開始出樣。
晶片面積方面，V5 4D NAND 的面積比目前 V4 72層堆棧的3D NAND低了30%，生產效率可提升20%。
效能方面，V5 512Gb 的 4D NAND TLC 效能比 V4 72層的 3D TLC 高了25-30%，能效提升150%。
未來的 4D NAND 還會發展到V6代，堆棧層數提升到128層，更遠的未來還可以提升到2xx層甚至5xx層，不過這些就沒什麼時間表了。
來源：
https://www.anandtech.com/show/1318…8-sk-hynix-keynote-live-blog-nand-development
http://www.expreview.com/63338.html
這次的FMS會議上，幾家 NAND 廠商的技術都有個共同點，那就是在繼續提高堆棧層數以增加 NAND 的容量密度，減少外圍電路所佔的比例。SK Hynix 的4D其實也是3D NAND，它是把 NAND 快閃記憶體的 Cell 單元PUC（Peri Under Cell）電路從之前的位置挪到了底部，所以叫了 4D NAND，本質上還是 3D NAND，4D NAND 的命名應該只是為了商業行銷。
SK Hynix 有 TLC 及 QLC 兩種規格，首款產品是512Gb核心的TLC，96層堆棧，I/O接口速度1.2Gbps，移動封裝尺寸為11.5x13mm2，可以取代兩顆256Gb晶片，同時性能相近，這個快閃記憶體預計在今年Q4季度開始出樣。
512Gb核心容量之外，下一步還有1Tb核心容量的TLC，也是94層堆棧，IO速度1.2Gbps，BGA封裝面積16x20mm2，單顆最大容量2TB，U.2規格下SSD最大64TB，這種快閃記憶體預計明年上半年出樣。
除了 TLC 類型還有 QLC，也是96層堆棧，IO速度也有1.2Gbps，核心容量能達到1Tb，SK Hynix 的 QLC 晶圓密度比 TLC 高出20%以上，這種快閃記憶體主要用於取代 HDD，預計明年下半年開始出樣。
晶片面積方面，V5 4D NAND 的面積比目前 V4 72層堆棧的3D NAND低了30%，生產效率可提升20%。
效能方面，V5 512Gb 的 4D NAND TLC 效能比 V4 72層的 3D TLC 高了25-30%，能效提升150%。
未來的 4D NAND 還會發展到V6代，堆棧層數提升到128層，更遠的未來還可以提升到2xx層甚至5xx層，不過這些就沒什麼時間表了。
來源：
https://www.anandtech.com/show/1318…8-sk-hynix-keynote-live-blog-nand-development
http://www.expreview.com/63338.html
