最近國外媒體分享了2021年 Samsung 技術日的一些公開資訊，透漏了一些未來記憶體的技術以及路線圖，不過簡報照片多數是不能公開的，但仍有一些相關資訊分享。
DDR5 記憶體目前才剛隨著 Intel 12代進入市場，不過隨即缺貨，基本上要到真的主流且多數平台使用預計要到2023年。雖還有兩年時間，但 Samsung 已經談到了下一代的 DDR6 記憶體，將會帶來兩倍的速度與帶寬。
DDR6 標準還未被 JEDEC 正式化，不過預設規格可能會在 12800 Mbit/s，但這只是初階開發階段，未來超頻記憶體模組可能會達到 17000 Mbit/s。
DDR6 每個模組將會有4個通道，是 DDR5 的兩倍，記憶體 bank 數量會增加到64個，是 DDR4 標準的四倍。
關於 GDDR6 以及之後標準的規格 Samsung 也透漏了一些資訊，Samsung 正在開發 GDDR6+ 的標準，提供高達 24Gbps 的速度，相比目前 GDDR6 提供的 18Gbps 要提升33%，該標準將會採用 Samsung 1z nm 製程。
另外 GDDR7 標準也在路線圖上，不過目前沒有任何可用日期，GDDR7 將會增加到 32Gbps 的速度，並有即時錯誤保護功能，除此之外也沒有更多的細節。
來源消息還稱 Samsung 將會在2022年第二季開始生產 HBM3 記憶體。
來源
DDR5 記憶體目前才剛隨著 Intel 12代進入市場，不過隨即缺貨，基本上要到真的主流且多數平台使用預計要到2023年。雖還有兩年時間，但 Samsung 已經談到了下一代的 DDR6 記憶體，將會帶來兩倍的速度與帶寬。
DDR6 標準還未被 JEDEC 正式化，不過預設規格可能會在 12800 Mbit/s，但這只是初階開發階段，未來超頻記憶體模組可能會達到 17000 Mbit/s。
DDR6 每個模組將會有4個通道，是 DDR5 的兩倍，記憶體 bank 數量會增加到64個，是 DDR4 標準的四倍。
關於 GDDR6 以及之後標準的規格 Samsung 也透漏了一些資訊，Samsung 正在開發 GDDR6+ 的標準，提供高達 24Gbps 的速度，相比目前 GDDR6 提供的 18Gbps 要提升33%，該標準將會採用 Samsung 1z nm 製程。
另外 GDDR7 標準也在路線圖上，不過目前沒有任何可用日期，GDDR7 將會增加到 32Gbps 的速度，並有即時錯誤保護功能，除此之外也沒有更多的細節。
來源消息還稱 Samsung 將會在2022年第二季開始生產 HBM3 記憶體。
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