Samsung 與韓國科學技術院（KAIST）在 FinFET 製程上的爭論由來已久，KAIST 在訴訟中表示當時還在 KAIST 工作的教授Lee Jong-ho在2001年向 Samsung 展示過 FinFET 技術，Samsung 起初對 FinFET 製程並不上心，但是後來看到 Intel 的 FinFET 量產之後也加快了製程開發，Samsung 使用了Lee Jong-ho教授的 FinFET 為基礎改進 FinFET 製程，最終在2011年推出了跟Lee Jong-ho教授研發的 FinFET 製程相近的 FinFET 技術。
KAIST 就這樣跟 Samsung 結下了梁子，2016年KAIST在美國德州的知識產權局起訴了Samsung，宣稱 Samsung 的 FinFET 製程侵犯了他們的專利權。Samsung 回應稱他們是跟 KAIST 合作開發的 FinFET 製程，並質疑後者的 FinFET 專利有效性，不過陪審團沒有認可 Samsung 的辯護，最終在上週判決 Samsung 侵犯 KAIST 的 FinFET 專利權成立，需要賠償 KAIST 大概4億美元。
陪審團認為 Samsung 侵權是“故意的”，所以這個4億美元的賠償還不是最終的，有可能被重罰到12億美元。
Samsung 這邊對判決表示不服，表示將會考慮所有可能的選擇來獲得合理的結果，包括上訴。
此外，這起侵權案中還涉及到了高通及GlobalFoundries，他們也被判侵權成立，不過法院沒有要求他們賠償任何損失。
來源：http://www.expreview.com/62145.html
KAIST 就這樣跟 Samsung 結下了梁子，2016年KAIST在美國德州的知識產權局起訴了Samsung，宣稱 Samsung 的 FinFET 製程侵犯了他們的專利權。Samsung 回應稱他們是跟 KAIST 合作開發的 FinFET 製程，並質疑後者的 FinFET 專利有效性，不過陪審團沒有認可 Samsung 的辯護，最終在上週判決 Samsung 侵犯 KAIST 的 FinFET 專利權成立，需要賠償 KAIST 大概4億美元。
陪審團認為 Samsung 侵權是“故意的”，所以這個4億美元的賠償還不是最終的，有可能被重罰到12億美元。
Samsung 這邊對判決表示不服，表示將會考慮所有可能的選擇來獲得合理的結果，包括上訴。
此外，這起侵權案中還涉及到了高通及GlobalFoundries，他們也被判侵權成立，不過法院沒有要求他們賠償任何損失。
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