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Samsung 首發 1znm 的 8Gb DDR4 DRAM 下半年量產

記憶體技術上,Samsung 不久前首發了 12GB LPDDR4X 記憶體,使用的是二代 10nm 級製程也就是 1ynm 製程製造,現在它基於第三代 10nm 級製程也就是 1znm 製程製造的 DDR4 DRAM 記憶體也來了。



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Samsung 宣布他們已經開發出 1znm 製程的 8Gb DDR4 DRAM 記憶體,據稱,1znm 製程製造的 8Gb DDR4 晶片在生產效率上較1ynm製程提升了20%。10nm 級製程並不是 10nm 製程,由於 20nm 節點之後 DRAM 的製程升級變得困難,所以 DRAM 記憶體製程的線寬指標不再那麼精確,於是有了 1xnm、1ynm 及 1znm 之分,簡單來說 1xnm 製程相當於 16-19nm,1ynm 製程相當於 14-16nm,1znm 製程大概是 12-14nm 級別,而在這之後還有 1α 及 1β 製程。

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Samsung 計劃在今年下半年開始大規模量產 1znm 製程的 8Gb DDR4 DRAM 記憶體,以用於預計將於2020年推出的下一代企業伺服器器和高階 PC 應用。Samsung 還將增加其產量,以“滿足對最先進 DRAM 產品不斷增長的需求”。但是現在並看不到市場對於 DRAM 記憶體有更大需求的增長,由於智慧型手機及經濟環境的變化導致需求放緩,再加上廠商庫存增加,從去年 Q4 季度以來,DRAM 記憶體的價格就已經開始由漲轉跌。前幾天的調研報告稱 Q1 季度記憶體合約價跌幅高達30%,並且預計今年上半年都會持續走低,目前業界的說法是下半年才有可能恢復正常。

來源:https://www.expreview.com/67430.html

wwchen123

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這篇的工藝估算太樂觀了.

1x=18nm, 1y=16nm, 1z=14nm, 大概是這樣.

夠先進的話, GG 也不會嗆聲說 DRAM 要自己做.
意思就是說: 再不好好努力, 不會做的話, 我來!

客戶的新設計已經快要不敷需求了.
 
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