Samsung 量產 eMRAM：比eFlash快1000倍, 功耗更低

Samsung 在昨日宣布正式量產首款商用的 eMRAM（嵌入式磁隨機存取儲存器），採用Samsung 的28FDS（28nm FD-SOI，耗盡型絕緣層上矽）製程製造。作為常用的 eFlash 快閃記憶體技術的發展到了瓶頸期，這種基於電荷儲存方式的儲存器已經面臨了很多挑戰。而 eMRAM 作為基於電阻的儲存方式在非易失性，隨機訪問等方面擁有比 eFlash 更好的表現。

eMRAM 利用磁致電阻的變化表示二進制0或1，通過測量一個儲存單元的電阻來實現讀取操作。這種晶片擁有 SRAM 的高速讀取能力和 DRAM 的高集成度。同時由於其特殊的儲存方式，所以也擁有非常高的P/E次數。可謂未來最好的儲存晶片選擇。Samsung 宣稱他們基於28FDS製程的 eMRAM 技術能提供更低的成本和功耗，在寫入速度上也更具優勢。其物理特性決定在寫入數據前不需要擦除週期，寫入速度比現在的 eFlash 快1000倍，eMRAM 在工作時電壓比 eFlash 更低，所以功耗更低。

Samsung 展示eMRAM結構



工作原理


Samsung 能將 eMRAM 的成本控制得較低的原因是這次他們可以輕鬆地與現有邏輯晶片製造製程進行集成，僅需要在流程製程後端添加少量的幾個層即可完成製造。通過這種模塊化的設計既可以享受現有製造製程帶來的低成本優勢，又可以享受到新技術帶來的性能提升。


Samsung 宣布將在今年擴大其高密度非易失性儲存器解決方案的選擇範圍，包括在今年推出1Gb的 eMRAM 的測試晶片。而在此之前，Intel 也在不久前宣布他們也已做好 eMRAM 晶片的大批量生產的準備。

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