Samsung 在2013年推出了第一款量產的 3D NAND 記憶體，稱為 V-NAND，並因此領先於競爭對手。Samsung 是從24層 V-NAND 開始，逐漸累積了豐富的經驗，目前最新量產的是第9代 V-NAND，層數達到了290層。
隨著人工智慧（AI）的蓬勃發展，市場除了 HBM 這類高頻寬記憶體，也需要更多層數的 NAND 快閃記憶體，這是大型資料中心大容量 SSD 的理想選擇，而 Samsung 的目標是2026年推出400層垂直堆疊的 NAND ，以便在激烈的市場競爭中佔據領先位置。
目前儲存產業似乎已進入「層層堆疊」的激烈競爭當中，Samsung 的主要競爭對手包括了SK Hynix 和鎧俠等。其中 SK Hynix 也在開發400層的 NAND，目標是在2025年年底做好大規模生產的準備。Samsung 的時間表其實差不多，大概在2026年初。
在傳統的 NAND 快閃記憶體晶片中，儲存單元堆疊在外圍電路上方，外圍電路充當晶片的大腦。然而當層數超過300層時，堆疊經常會損壞週邊設備。為了解決這個問題，Samsung 正在開發第10代 V-NAND 技術，打算使用一種創新的鍵合技術，將儲存單元和周邊電路分別在不同的晶圓上製造，然後再結合在一起。此方法可望解決儲存容量提升及散熱效率問題，預計單位面積的位元密度將提高1.6倍。
據了解，Samsung 計畫2027年帶來第11代 V-NAND 技術，資料傳輸速度將提高 50%，到2030年，V-NAND 的層數將超過1000。
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隨著人工智慧（AI）的蓬勃發展，市場除了 HBM 這類高頻寬記憶體，也需要更多層數的 NAND 快閃記憶體，這是大型資料中心大容量 SSD 的理想選擇，而 Samsung 的目標是2026年推出400層垂直堆疊的 NAND ，以便在激烈的市場競爭中佔據領先位置。
目前儲存產業似乎已進入「層層堆疊」的激烈競爭當中，Samsung 的主要競爭對手包括了SK Hynix 和鎧俠等。其中 SK Hynix 也在開發400層的 NAND，目標是在2025年年底做好大規模生產的準備。Samsung 的時間表其實差不多，大概在2026年初。
在傳統的 NAND 快閃記憶體晶片中，儲存單元堆疊在外圍電路上方，外圍電路充當晶片的大腦。然而當層數超過300層時，堆疊經常會損壞週邊設備。為了解決這個問題，Samsung 正在開發第10代 V-NAND 技術，打算使用一種創新的鍵合技術，將儲存單元和周邊電路分別在不同的晶圓上製造，然後再結合在一起。此方法可望解決儲存容量提升及散熱效率問題，預計單位面積的位元密度將提高1.6倍。
據了解，Samsung 計畫2027年帶來第11代 V-NAND 技術，資料傳輸速度將提高 50%，到2030年，V-NAND 的層數將超過1000。
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