Samsung 最近在官方宣布開始生產整合最新第六代 256Gb 3bit NAND 顆粒的 250GB SATA SSD。不過用上最新顆粒的 SSD 目前只向 OEM 出貨，消費級市場還要過一段時間才會有。
Samsung 電子解決方案產品與開發執行副總裁 Kye Hyun Kyung 表示，“隨著下一代 V-NAND 產品有著更快開發週期，我們計劃快速擴展我們的高速大容量 512Gb V-NAND 解決方案的市場”。
時間表證明，Samsung 從第五代推進到第六代所花費的事件比第四代升級到第五代減少了四個月的時間，他們確實在快速推進高堆疊層數的 V-NAND 生產。Samsung 表示第六代100+層的 V-NAND 的寫入速度在450微秒，讀取速度為45微妙，效能比上代提升了10%，功耗節約15%，整體產量會上升20%。繼今天宣布的新款 250GB SSD 之後，今年下半年 Samsung 還計劃提供基於 512Gb 大小的 3-bit V-NAND SSD 和 eUFS 快閃記憶體。
不過消費級市場上，目前還是第五代也就是96層堆疊 TLC 產品。Samsung 自家的產品一直堅持使用自家的主控和顆粒，除了價格稍貴，在產品效能和品質上面一直都還算是不錯，而且目前市面上還能買得到少數零售版 MLC 產品，如 Samsung 970 Pro。
前不久 Toshiba 剛宣布向消費級市場推出使用96層 TLC 顆粒的 RD500 & RC500 這兩款產品，96層顆粒也慢慢地將會在消費級市場上成為主流，不過隨著 QLC 的成熟，可能以後 TLC 也會像當年 SLC、MLC 顆粒逐漸被取代。至於100+層數的 TLC 進入消費級市場，可能還要等上一段時間。
來源：https://www.expreview.com/69824.html
Samsung 電子解決方案產品與開發執行副總裁 Kye Hyun Kyung 表示，“隨著下一代 V-NAND 產品有著更快開發週期，我們計劃快速擴展我們的高速大容量 512Gb V-NAND 解決方案的市場”。
時間表證明，Samsung 從第五代推進到第六代所花費的事件比第四代升級到第五代減少了四個月的時間，他們確實在快速推進高堆疊層數的 V-NAND 生產。Samsung 表示第六代100+層的 V-NAND 的寫入速度在450微秒，讀取速度為45微妙，效能比上代提升了10%，功耗節約15%，整體產量會上升20%。繼今天宣布的新款 250GB SSD 之後，今年下半年 Samsung 還計劃提供基於 512Gb 大小的 3-bit V-NAND SSD 和 eUFS 快閃記憶體。
不過消費級市場上，目前還是第五代也就是96層堆疊 TLC 產品。Samsung 自家的產品一直堅持使用自家的主控和顆粒，除了價格稍貴，在產品效能和品質上面一直都還算是不錯，而且目前市面上還能買得到少數零售版 MLC 產品，如 Samsung 970 Pro。
前不久 Toshiba 剛宣布向消費級市場推出使用96層 TLC 顆粒的 RD500 & RC500 這兩款產品，96層顆粒也慢慢地將會在消費級市場上成為主流，不過隨著 QLC 的成熟，可能以後 TLC 也會像當年 SLC、MLC 顆粒逐漸被取代。至於100+層數的 TLC 進入消費級市場，可能還要等上一段時間。
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