Samsung 最近有傳聞將擴展 NAND 快閃記憶體晶片業務，欲在西安工廠投資80億美元來提高其快閃記憶體晶片的產量。
Samsung 日前已經正式啟動其在西安的晶片項目二期第二階段，投資金額為80億美元，前期相關資料已經開始準備，將於2021年下半年竣工。報導指出，二期項目建成之後，將新增產能每月13萬片。另外 Samsung 二期項目的總投資為150億美元，第一階段投資約70億美元已經全部到賬，用於新建一條12吋 3D V-NAND 快閃記憶體晶片生產線。一階段已經於10月8日進行了月產1000片的投片測試，預計2020年一季度正式竣工投產。
Samsung 於2012年開始在西安進行高階儲存晶片項目投資，一期項目總投資共計108億美元，主要生產12吋10-X奈米級 NAND 快閃記憶體晶片產品，目前能夠實現月產12萬片。加上最新投資的80億美元，Samsung 已經在西安儲存晶片項目上累積投資258億美元。
目前，Samsung 在韓國華城、平澤以及中國西安進行 3D NAND 生產，快閃記憶體市場上的主要競爭對手有 SK Hynix、Micron 以及 Toshiba。雖然中國也有幾家公司生產 3D NAND，不過目前只能在低階產品中競爭。
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Samsung 日前已經正式啟動其在西安的晶片項目二期第二階段，投資金額為80億美元，前期相關資料已經開始準備，將於2021年下半年竣工。報導指出，二期項目建成之後，將新增產能每月13萬片。另外 Samsung 二期項目的總投資為150億美元，第一階段投資約70億美元已經全部到賬，用於新建一條12吋 3D V-NAND 快閃記憶體晶片生產線。一階段已經於10月8日進行了月產1000片的投片測試，預計2020年一季度正式竣工投產。
Samsung 於2012年開始在西安進行高階儲存晶片項目投資，一期項目總投資共計108億美元，主要生產12吋10-X奈米級 NAND 快閃記憶體晶片產品，目前能夠實現月產12萬片。加上最新投資的80億美元，Samsung 已經在西安儲存晶片項目上累積投資258億美元。
目前，Samsung 在韓國華城、平澤以及中國西安進行 3D NAND 生產，快閃記憶體市場上的主要競爭對手有 SK Hynix、Micron 以及 Toshiba。雖然中國也有幾家公司生產 3D NAND，不過目前只能在低階產品中競爭。
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